按晶振規(guī)格的 Load Capacitance (CL) 選擇 C1 C2 以符合以下公式 CL = Cstray + (C1 C2)/(C1+C2) Cstray: 實(shí)際電路上的雜散電容今天要做晶振的 second source晶振電容，把晶振焊上去后發(fā)現(xiàn)普遍比較低，要求是 25M +/-20ppm， 就是說(shuō)偏差不超過(guò) 500Hz，但是測(cè)量三片，只有一片合格，其他兩片均偏小幾百赫茲。查了 數(shù)據(jù)手冊(cè)得知實(shí)際頻率和標(biāo)稱頻率之間的關(guān)系： Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2); 而 CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中 Cs 為雜散電容，Cg 和 Cd 為我們外部加的兩個(gè)電容，通常 大家取值相等，它們對(duì)串聯(lián)起來(lái)加上雜散電容即為晶振的負(fù)載電容 CL. 具體公式不用細(xì)想，我們可以從中得知負(fù)載電容的減小可以使實(shí)際頻率 Fx 變大， 我們可以改變的只有 Cg 和 Cd，通過(guò)初步的計(jì)算發(fā)現(xiàn) CL 改變 1pF,Fx 可以改變幾百 Hz。 原有電路使用的是 33pF 的兩個(gè)電容， 則并聯(lián)起來(lái)是 16.5pF，我們的貼片電容只有 27pF,33pF晶振電容， 39pF,所以我們選用了 27pF 和 39pF 并聯(lián)，則電容為 15.95pF。電容焊好后，測(cè)量比原來(lái)大 了 200 多赫茲，落在了設(shè)計(jì)范圍內(nèi)。 結(jié)論：晶振電路上的兩個(gè)電容可以不相等，通過(guò)微調(diào)電容的值可以微調(diào)晶振的振蕩頻率，不 過(guò)如果你測(cè)了幾片晶振，頻率有大有小，而且偏移較大，那么這個(gè)晶振就是不合格的。

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