晶振電容的選擇1：如何選擇晶振 對(duì)于一個(gè)高可靠性的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，晶體的選擇非常重要，尤其 設(shè)計(jì)帶有睡眠喚醒(往往用低電壓以求低功耗)的系統(tǒng)。 這是因?yàn)?低供電電壓使提供給晶體的激勵(lì)功率減少， 造成晶體起振很慢或 根本就不能起振。這一現(xiàn)象在上電復(fù)位時(shí)并不特別明顯，原因是 上電時(shí)電路有足夠的擾動(dòng)，很容易建立振蕩。在睡眠喚醒時(shí)，電 路的擾動(dòng)要比上電時(shí)小得多， 起振變得很不容易。 在振蕩回路中， 晶體既不能過(guò)激勵(lì)(容易振到高次諧波上)也不能欠激勵(lì)(不容易 起振)。晶體的選擇至少必須考慮：諧振頻點(diǎn)，負(fù)載電容，激勵(lì) 功率，溫度特性，長(zhǎng)期穩(wěn)定性。一般來(lái)說(shuō)某一種單片機(jī)或外圍芯 片都會(huì)給出一個(gè)或幾個(gè)典型適用的晶振晶振 電容，常用的像 51 單片機(jī)用 12M 晶振，ATmega 系列單片機(jī)可以用 8M，16M，7.3728M 等。這 里有一個(gè)經(jīng)驗(yàn)可以分享一下， 如果所使用的單片機(jī)內(nèi)置有 PLL 即 鎖相環(huán)，那么所使用的外部晶振都是低頻率的，如 32.768K 的晶 振等， 因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò) PLL 倍頻而使單片機(jī)工作在一個(gè)很高的頻率 下。2：如何選擇電容起振電容 從原理上講直接將晶振接到單片機(jī)上，單片機(jī)就可以工作。 但這樣構(gòu)成的振蕩電路中會(huì)產(chǎn)生偕波(也就是不希望存在的其他頻率的波),這個(gè)波對(duì)電路的影響不大,但會(huì)降低電路的時(shí)鐘振蕩 器的穩(wěn)定性.為了電路的穩(wěn)定性起見(jiàn)，建議在晶振的兩引腳處接 入兩個(gè)瓷片電容接地來(lái)削減偕波對(duì)電路的穩(wěn)定性的影響,所以晶 振必須配有起振電容， 但電容的具體大小沒(méi)有什么普遍意義上的 計(jì)算公式，不同芯片的要求不同。 （1）：因?yàn)槊恳环N晶振都有各自的特性，所以最好按制造 廠商所提供的數(shù)值選擇外部元器件。 （2）：在許可范圍內(nèi)晶振 電容，C1,C2 值越低越好。C 值偏大雖有利 于振蕩器的穩(wěn)定，但將會(huì)增加起振時(shí)間，比較常用的為 15p-30p 之間。

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