引用為什么在一個(gè)大的電容上還并聯(lián)一個(gè)小電容 因?yàn)榇箅娙萦捎谌萘看?，所以體積一般也比較大，且通常使用多層卷繞的方式制作（動(dòng)手拆 過(guò)鋁電解電容應(yīng)該會(huì)很有體會(huì)，沒(méi)拆過(guò)的也可以拿幾種不同的電容拆來(lái)看看） ，這就導(dǎo)致了 大電容的分布電感比較大（也叫等效串聯(lián)電感，英文簡(jiǎn)稱(chēng) ESL） 。大家知道，電感對(duì)高頻信 號(hào)的阻抗是很大的，所以，大電容的高頻性能不好。而一些小容量電容則剛剛相反，由于容 量小，因此體積可以做得很?。s短了引線，就減小了 ESL，因?yàn)橐欢螌?dǎo)線也可以看成是一 個(gè)電感的） ，而且常使用平板電容的結(jié)構(gòu)，這樣小容量電容就有很小的 ESL，這樣它就具有 了很好的高頻性能，但由于容量小的緣故，對(duì)低頻信號(hào)的阻抗大。所以，如果我們?yōu)榱俗尩?頻、高頻信號(hào)都可以很好的通過(guò)，就采用一個(gè)大電容再并上一個(gè)小電容的方式。常使用的小 電容為 0.1uF 的瓷片電容，當(dāng)頻率更高時(shí)，還可并聯(lián)更小的電容，例如幾 pF、幾百 pF 的。 而在數(shù)字電路中，一般要給每個(gè)芯片的電源引腳上并聯(lián)一個(gè) 0.1uF 的電容到地（這電容叫做 去耦電容，當(dāng)然也可以理解為電源濾波電容。它越靠近芯片的位置越好），因?yàn)樵谶@些地方 的信號(hào)主要是高頻信號(hào)，使用較小的電容濾波就可以了。

電容的串并聯(lián)容量公式-電容器的串并聯(lián)分壓公式1.串聯(lián)公式：C = C1*C2/(C1 + C2) 2.并聯(lián)公式 C = C1+C2+C3 補(bǔ)充部分： 串聯(lián)分壓比—— V1 = C2/(C1 + C2)*V ........電容越大分得電壓越小，交流直流條件下均如此 并聯(lián)分流比—— I1 = C1/(C1 + C2)*I ........電容越大通過(guò)的電流越大，當(dāng)然，這是交流條件下一個(gè)大的電容上并聯(lián)一個(gè)小電容大電容由于容量大，所以體積一般也比較大，且通常使用多層卷繞的方式制作，這就導(dǎo)致了 大電容的分布電感比較大（也叫等效串聯(lián)電感，英文簡(jiǎn)稱(chēng) ESL） 。 電感對(duì)高頻信號(hào)的阻抗是很大的，所以，大電容的高頻性能不好。而一些小容量電容則剛剛 相反，由于容量小，因此體積可以做得很?。s短了引線，就減小了 ESL電容 串聯(lián)，因?yàn)橐欢螌?dǎo)線也 可以看成是一個(gè)電感的） ，而且常使用平板電容的結(jié)構(gòu)，這樣小容量電容就有很小 ESL 這樣 它就具有了很好的高頻性能，但由于容量小的緣故，對(duì)低頻信號(hào)的阻抗大。 所以，如果我們?yōu)榱俗尩皖l、高頻信號(hào)都可以很好的通過(guò)，就采用一個(gè)大電容再并上一個(gè)小 電容的方式。常使用的小電容為 0.1uF 的 CBB 電容較好(瓷片電容也行)，當(dāng)頻率更高時(shí)，還可并聯(lián)更小的 電容，例如幾 pF，幾百 pF 的。

而在數(shù)字電路中，一般要給每個(gè)芯片的電源引腳上并聯(lián)一個(gè) 0.1uF 的電容到地（這個(gè)電容叫做退耦電容，當(dāng)然也可以理解為電源濾波電容,越靠近芯片越 好） ，因?yàn)樵谶@些地方的信號(hào)主要是高頻信號(hào)，使用較小的電容濾波就可以了。 理想的電容電容 串聯(lián)，其阻抗隨頻率升高而變?。≧＝1/jwc）, 但理想的電容是不存在的，由于電容 引腳的分布電感效應(yīng)， 在高頻段電容不再是一個(gè)單純的電容， 更應(yīng)該把它看成一個(gè)電容和電 感的串聯(lián)高頻等效電路，當(dāng)頻率高于其諧振頻率時(shí)，阻抗表現(xiàn)出隨頻率升高而升高的特性， 就是電感特性，這時(shí)電容就好比一個(gè)電感了。相反電感也有同樣的特性。 大電容并聯(lián)小電容在電源濾波中非常廣泛的用到， 根本原因就在于電容的自諧振特性。 大小 電容搭配可以很好的抑制低頻到高頻的電源干擾信號(hào)，小電容濾高頻（自諧振頻率高） ，大 電容濾低頻（自諧振頻率低） ，兩者互為補(bǔ)充。

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