似乎所有的硬件工程師談起電解電容的好壞的時(shí)候，最后總是少不了一句，要選擇ESR參數(shù)低一點(diǎn)的電容云云，公司采購員按這個(gè)要求去采購電容的時(shí)候，只能選擇好品牌，因?yàn)椴少弳T心里知道，好品牌的電容ESR參數(shù)才低，電解電容的ESR值從不標(biāo)示出來。作為開關(guān)電源的輸出整流濾波電容器，電容量往往是首要的選擇，鋁電解電容器的電容量完全可以滿足要求，而ESR則相對比較高?？梢酝ㄟ^多只并聯(lián)的方法降低ESR。也可以選擇更大的電容量來降低ESR

ESR是高頻電解電容里面最重要的性能參數(shù)esr電容，很多電容供應(yīng)商都強(qiáng)調(diào)“LOWESR”這一性能特征，也就是ESR值很小的意思。那么，我們?nèi)绾握_理解LOWESR的實(shí)際意義呢?由于現(xiàn)在電子技術(shù)的發(fā)展，供應(yīng)給硬件的電壓正呈現(xiàn)越來越低的趨勢，例如FPGA、DSP、RAM系列的供電電壓都是很低，有的電路電壓小于2V，相比以前動(dòng)輒3、4V的電壓要低得多。但是，另一方面這些芯片由于晶體管和頻率爆增，需求的功耗卻是有增無減，因此按P=UI的公式來計(jì)算，這些設(shè)備對電流的要求就越來越高了。

比如在電腦主板上，例如兩顆功耗同樣是70W的CPU，前者電壓是3.3V，后者電壓是1.8V。那么，前者的電流就是I=P/U=70W/3.3V大約在21.2A左右。而后者的電流就是I=P/U=70W/1.8V=38.9A，達(dá)到了前者的近一倍。在通過電容的電流越來越高的情況下，假如電容的ESR值不能保持在一個(gè)較小的范圍，那么就會產(chǎn)生比以往更高的漣波電壓(理想的輸出直流電壓應(yīng)該是一條水平線，而漣波電壓則是水平線上的波峰和波谷)。

此外，即使是相同的漣波電壓，對低電壓電路的影響也要比在高電壓情況下更大。例如對于3.3V的MCU而言，0.2V漣波電壓所占比例較小，還不足以形成致命的影響，但是對用于1.8V供電的FPGA、DSP而言，同樣是0.2V的漣波電壓，其所占的比例就足以造成數(shù)字電路的判斷失誤。

那么ESR值與漣波電壓的關(guān)系何在呢?我們可以用以下公式表示：

V=R(ESR)×I

這個(gè)公式中的V就表示漣波電壓，而R表示電容的ESR，I表示電流?？梢钥吹?，當(dāng)電流增大的時(shí)候，即使在ESR保持不變的情況下，漣波電壓也會成倍提高，采用更低ESR值的電容是勢在必行。這就是為什么如今的板卡等硬件設(shè)備上所用的電容，越來越強(qiáng)調(diào)低ESR的原因。

再說生產(chǎn)廠家為何不愿標(biāo)示出來ESR呢?

從電解電容器的生產(chǎn)工藝上考慮，電解液的電阻是鋁電解電容器等效串聯(lián)電阻(ESR)的主要部分。多數(shù)鋁電解電容器生產(chǎn)廠商是不給出ESR數(shù)據(jù)的主要原因主要是：相對于其它介質(zhì)的電容器，鋁電解電容器的ESR顯得太大。如1μF/16V的普通鋁電解電容器，其ESR一般在20Ω左右;100μF的鋁電解電容器，其ESR也是在1.5~2Ω之間。

試想，這樣的數(shù)據(jù)寫在數(shù)據(jù)手冊里肯定會影響應(yīng)用者的應(yīng)用鋁電解電容器的信心。因此，在某種以上說，應(yīng)用鋁電解電容器是一種無奈的選擇。會影響鋁電解電容器的應(yīng)用。

對于一般應(yīng)用的鋁電解電容器，多數(shù)鋁電解電容器生產(chǎn)廠商是不給出ESR數(shù)據(jù)的，對于開關(guān)電源用的低ESR鋁電解電容器或電容量比較大的插腳式鋁電解電容器則給出這個(gè)數(shù)據(jù)。

順便說說還有幾個(gè)電容參數(shù)也不標(biāo)示的原因

其實(shí)，作為硬件工程師，總有這樣的感覺，電容的參數(shù)，我們將其分為“顯性參數(shù)”和“隱性參數(shù)”。所謂“顯性參數(shù)”，就是印在電容表面的一些基本參數(shù)，這些參數(shù)在我們看到一顆電容之后往往可以直接得知。例如電容的容量(比如“470μF”等等)、容量偏差范圍、耐溫范圍、電壓值(比如“16V”)。

所謂“隱性參數(shù)”，就是我們需要根據(jù)電容的型號來查詢的參數(shù)。例如我們常說的ESR值，如今已成為區(qū)別電容性能的重要參數(shù)，而我們在電容上是看不到這個(gè)參數(shù)的，我們得去相關(guān)的網(wǎng)站通過電容的型號來查詢。和ESR相同命運(yùn)的類似的參數(shù)還有不少，其中包括如下一些：