怎樣正確的選擇電容?
電容是我們在電路中經(jīng)常用到的無源器件,經(jīng)常見到的幾種有鋁電解電容,鉭電容,貼片陶瓷電容。由于每種電容的特性決定了相應(yīng)的使用場合不同。下面我們來比較一下幾種電容的區(qū)別和特點,總結(jié)一下在實際電路中應(yīng)該怎樣選擇電容。
(一)鋁電解電容
顧名思義,其主要的組成部分就是鋁箔和電解液。簡單的了解鋁電解電容的生產(chǎn)工藝電容 晶振,即把鋁箔卷成柱狀,注入液態(tài)電解質(zhì),再引出正負兩個端子,然后把電容的芯材密封在金屬外殼里。液態(tài)電解液中存在一定比例的水,當電容上有漏電流流過的情況下,水可以被分解為氫氣和氧氣,氧氣通過氧化反應(yīng)可以與陽極形成新的氧化膜,氫氣通過電容的橡膠塞排出。這樣不至于損壞電容。生產(chǎn)工藝簡單,成本低是鋁電解電容的一個特點。除此之外,鋁電解電容還有以下特點:
a. 由于密封殼不是完全的密封,電解液會容易干涸,因此鋁電解電容的使用壽命有限
b. 由于電解液中水的存在,影響了鋁電解電容在高溫和低溫環(huán)境下的使用性能
c. 工藝特性原因,鋁電解電容的ESR,ESL比較難做小,因此鋁電解電容的自諧振頻率點通常都比較低,大致在幾十KHz到幾MHz范圍
d. 鋁電解電容的容量與鋁箔的尺寸正相關(guān),容量可以做的很大,容量越大電容尺寸越大。
根據(jù)以上特性,鋁電解電容被廣泛應(yīng)用在低頻的濾波場合,特別是在幾十KHz到幾MHz的環(huán)境,比如電源的輸出濾波,我們經(jīng)??吹降亩际卿X電解電容的身影。在使用鋁電解電容的時候,要注意電容耐壓滿足電路需求。另外,在其他要求不嚴格的情況下,容量可以盡量選擇大一些,容量越大ESR越小,更容易滿足電路目標阻抗的要求。在某些高溫使用環(huán)境,盡量避免選擇小體積小容量的鋁電解電容,以免由于溫度過高電解液揮發(fā)干涸造成電容失效影響到整個電路的工作。
(二)鉭電容
鉭電容是另外一種使用廣泛的電容,同鋁電解電容一樣,鉭電容也是一種電解電容。其主要的工藝流程是將鉭粉壓制成型后燒結(jié)成多孔的實心塊,經(jīng)過陽極化處理形成氧化膜,然后覆上固體電解質(zhì),再覆上一層石墨及鉛錫涂層,最后用樹脂封裝成型為固體的鉭電容。鉭電容具有如下特點:
a. 與鋁電解電容不同,鉭電容的電解質(zhì)為固體,所以不存在電解液干涸的問題,壽命會有所提高
b. 由于采用的固體電解質(zhì),其容量溫度特性比較穩(wěn)定,因此溫度對電容容量的影響較小,高低溫性能優(yōu)于鋁電解電容
c. 鉭電解電容可以做到較大容量下較小的封裝,因此ESR,ESL都可以控制的比較小,其自諧振頻率比鋁電解電容要高
d. 工藝上比鋁電解電容復(fù)雜,成本較高
通過比較我們可以發(fā)現(xiàn),鉭電容有很多鋁電解電容不具備的優(yōu)點,在某些濾波的使用場景鉭電容可以很好的替代鋁電解電容。但是有幾個需要注意的點:由于鉭電容的結(jié)構(gòu)決定了,鉭電容的耐壓普遍不高,在實際電路重要注意鉭電容的耐壓要求,并留有一定余量。在對付電源上電瞬間大電流沖擊和和大的電壓瞬變方面鉭電容沒有鋁電解電容優(yōu)秀。溫度對鉭電容的影響很小,在實際使用中我們可以忽略溫度對鉭電容的影響。
晶振電容是什么?該如何計算?
今天要做晶振的second source,把晶振焊上去后發(fā)現(xiàn)普遍比較低,要求是25M +/-20ppm,就是說偏差不超過500Hz,但是測量三片,只有一片合格,其他兩片均偏小幾百赫茲。查了數(shù)據(jù)手冊得知實際頻率和標稱頻率之間的關(guān)系:
Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2);
而 CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs為雜散電容,Cg和Cd為我們外部加的兩個電容,通常大家取值相等,它們對串聯(lián)起來加上雜散電容即為晶振的負載電容CL.
具體公式不用細想電容 晶振,我們可以從中得知負載電容的減小可以使實際頻率Fx變大,
我們可以改變的只有Cg和Cd,通過初步的計算發(fā)現(xiàn)CL改變1pF,F(xiàn)x可以改變幾百Hz。
原有電路使用的是33pF的兩個電容,則并聯(lián)起來是16.5pF,我們的貼片電容只有27pF,33pF,39pF,所以我們選用了27pF和39pF并聯(lián),則電容為15.95pF。電容焊好后,測量比原來大了200多赫茲,落在了設(shè)計范圍內(nèi)。
結(jié)論:晶振電路上的兩個電容可以不相等,通過微調(diào)電容的值可以微調(diào)晶振的振蕩頻率,不過如果你測了幾片晶振,頻率有大有小,而且偏移較大,那么這個晶振就是不合格的
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