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晶振 負(fù)載電容 關(guān)于晶振和負(fù)載電容

關(guān)于晶振和負(fù)載電容

無(wú)源晶振的起振需要通過外加負(fù)載電容才能正常工作

單片機(jī)晶振電容作用_晶振 負(fù)載電容_晶振負(fù)載電容

晶振在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò),電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn),以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振,較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏?,在這個(gè)極窄的頻率范圍內(nèi)晶振 負(fù)載電容,晶振等效為一個(gè)電感,所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會(huì)組成并聯(lián)諧振電路。這個(gè)并聯(lián)諧振電路加到一個(gè)負(fù)反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路,由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄,所以即使其他元件的參數(shù)變化很大,這個(gè)振蕩器的頻率也不會(huì)有很大的變化。晶振有一個(gè)重要的參數(shù),那就是負(fù)載電容值,選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容,就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容,請(qǐng)注意一般IC的引腳都有等效輸入電容,這個(gè)不能忽略。一般的晶振的負(fù)載電容為15p或12.5p,如果再考慮元件引腳的等效輸入電容,則兩個(gè)22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇(11+(3~5))

如何得出晶振的負(fù)載電容:晶振線路兩旁電容C1,C2.晶振匹配電容選擇:[(C1*C2)/(C1+C2)]+等效電容 = CL晶振 負(fù)載電容,C1,C2是晶振旁邊的兩顆外接電容,CL為晶振負(fù)載電容

文章由啟和科技編輯


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