旁路電容是把電源或者輸入信號中的交流分量的干擾作為濾除對象。

有了旁路電容，將電源5V中的交流分量——波動進行濾除。將藍色波形變成粉紅色波形。一般來說，靠近電源放置。

去耦電容是芯片的電源管腳，由于自身用電過程中信號跳變產生的電源管腳對外的波形輸出，我們用電容進行濾除。

把信號電源管腳，輸出干擾作為濾除對象，防止干擾信號返回電源。

尖峰電流的形成：

數字電路輸出高電平時從電源拉出的電流Ioh和低電平輸出時灌入的電流Iol的大小一般是不同的，即：Iol＞Ioh。以下圖的TTL與非門為例說明尖峰電流的形成：

輸出電壓如右圖（a）所示，理論上電源電流的波形如右圖（b），而實際的電源電流保險如右圖（c）。由圖（c）可以看出在輸出由低電平轉換到高電平時電源電流有一個短暫而幅度很大的尖峰。尖峰電源電流的波形隨所用器件的類型和輸出端所接的電容負載而異。

產生尖峰電流的主要原因是：

輸出級的T3、T4管短設計內同時導通。在與非門由輸出低電平轉向高電平的過程中，輸入電壓的負跳變在T2和T3的基極回路內產生很大的反向驅動電流，由于T3的飽和深度設計得比T2大，反向驅動電流將使T2首先脫離飽和而截止。T2截止后，其集電極電位上升，使T4導通?？墒谴藭rT3還未脫離飽和，因此在極短得設計內T3和T4將同時導通，從而產生很大的ic4，使電源電流形成尖峰電流。圖中的R4正是為了限制此尖峰電流而設計。

這應該是他們的本質區(qū)別。去耦電容相當于電池，避免由于電流的突變而使電壓下降，相當于濾紋波。具體容值可以根據電流的大小、期望的紋波大小、作用時間的大小來計算。去耦電容一般都很大，對更高頻率的噪聲，基本無效。旁路電容就是針對高頻來的，也就是利用了電容的頻率阻抗特性。只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據諧振頻率一般是0.1u，0.01u等 ，而去耦合電容一般比較大，是10u或者更大，依據電路中分布參數，以及驅動電流的變化大小來確定。

旁路電容

旁路電容（bypass）是把輸入信號中的高頻噪聲作為濾除對象，把前級攜帶的高頻雜波濾除。

旁路電容的主要功能是產生一個交流分路，從而消去進入易感區(qū)的那些不需要的能量。旁路電容一般作為高頻旁路器件來減小對電源模塊的瞬態(tài)電流需求。 通常鋁電解電容和鉭電 容比較適合作旁路電容，其電容值取決于PCB板上的瞬態(tài)電流需求，一般在10至470μF范圍內。

去耦電容

去耦電容（decoupling）也稱退耦電容，是把芯片的電源腳的輸出的干擾作為濾除對象。去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲(電容對高頻阻抗小，將之瀉至GND)。

數字電路中，當電路從一個狀態(tài)轉換為另一種狀態(tài)時，就會在電源線上產生一個很大的尖峰電流，形成瞬變的噪聲電壓，會影響前級的正常工作。這就是耦合。對于噪聲能力弱、關斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件，應在芯片的電源線（Vcc）和地線（GND）間直接接入去耦電容。

數字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個電容的分布電感的典型值是5nH。 0.1μF的去耦電容有5nH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對于10MHz以 下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。 1μF、10μF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。 每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的電容，這種卷起來的結構在高頻時表現(xiàn)為電感。要使用 鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF電容，100MHz取0.01μ。