和晶振串聯(lián)的電阻常用來預防晶振被過分驅(qū)動。晶振過分驅(qū)動的后果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，并導致晶振的早期失效，又可以講drivelevel調(diào)整用。用來調(diào)整drivelevel和發(fā)振余裕度。晶振輸入輸出連接的電阻作用是產(chǎn)生負反饋，保證放大器工作在高增益的線性區(qū)，一般在M歐級，輸出端的電阻與負載電容組成網(wǎng)絡，提供180度相移，同時起到限流的作用，防止反向器輸出對晶振過驅(qū)動，損壞晶振。

電阻的作用是將電路內(nèi)部的反向器加一個反饋回路，形成放大器晶振，當晶體并在其中會使反饋回路的交流等效按照晶體頻率諧振，由于晶體的Q值非常高晶振，因此電阻在很大的范圍變化都不會影響輸出頻率。過去，曾經(jīng)試驗此電路的穩(wěn)定性時，試過從100K～20M都可以正常啟振，但會影響脈寬比的。

Xin和Xout的內(nèi)部一般是一個施密特反相器,反相器是不能驅(qū)動晶體震蕩的.因此,在反相器的兩端并聯(lián)一個電阻,由電阻完成將輸出的信號反向180度反饋到輸入端形成負反饋,構(gòu)成負反饋放大電路.晶體并在電阻上,電阻與晶體的等效阻抗是并聯(lián)關(guān)系,自己想一下是電阻大還是電阻小對晶體的阻抗影響小大?

下圖所示的一個晶振電路中，

電路在其輸出端串接了一個2M歐姆的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10M歐姆的電阻，這是由于連接晶振的芯片端內(nèi)部是一個線性運算放大器，將輸入進行反向180度輸出，晶振處的負載電容電阻組成的網(wǎng)絡提供另外180度的相移，整個環(huán)路的相移360度，滿足振蕩的相位條件，同時還要求閉環(huán)增益大于等于1，晶體才正常工作。

晶體的Q值非常高,如何理解Q值高呢？晶體的串聯(lián)等效阻抗是Ze=Re+jXe,Re

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