大電容由于容量大，所以體積一般也比較大，且通常使用多層卷繞的方式制作，這就導致了大電容的分布電感比較大（也叫等效串聯(lián)電感，英文簡稱ESL）。

電感對高頻信號的阻抗是很大的，所以，大電容的高頻性能不好。而一些小容量電容則剛剛相反，由于容量小，因此體積可以做得很?。s短了引線，就減小了ESL，因為一段導線也可以看成是一個電感的），而且常使用平板電容的結(jié)構(gòu)，這樣小容量電容就有很小ESL這樣它就具有了很好的高頻性能，但由于容量小的緣故，對低頻信號的阻抗大。

所以，如果我們?yōu)榱俗尩皖l、高頻信號都可以很好的通過，就采用一個大電容再并上一個小電容的方式。

常使用的小電容為0.1uF的CBB電容較好（瓷片電容也行），當頻率更高時，還可并聯(lián)更小的電容，例如幾pF，幾百pF的。而在數(shù)字電路中，一般要給每個芯片的電源引腳上并聯(lián)一個0.1uF的電容到地（這個電容叫做退耦電容，當然也可以理解為電源濾波電容，越靠近芯片越好），因為在這些地方的信號主要是高頻信號，使用較小的電容濾波就可以了。

理想的電容，其阻抗隨頻率升高而變小（R＝1/jwc），但理想的電容是不存在的，由于電容引腳的分布電感效應，在高頻段電容不再是一個單純的電容，更應該把它看成一個電容和電感的串聯(lián)高頻等效電路，當頻率高于其諧振頻率時，阻抗表現(xiàn)出隨頻率升高而升高的特性，就是電感特性，這時電容就好比一個電感了。相反電感也有同樣的特性。

大電容并聯(lián)小電容在電源濾波中非常廣泛的用到，根本原因就在于電容的自諧振特性。大小電容搭配可以很好的抑制低頻到高頻的電源干擾信號，小電容濾高頻（自諧振頻率高），大電容濾低頻（自諧振頻率低），兩者互為補充

串聯(lián)分壓比—— V1 = C2/（C1 + C2）*V。。。。。。。。電容越大分得電壓越小，交流直流條件下均如此

并聯(lián)分流比—— I1 = C1/（C1 + C2）*I。。。。。。。。電容越大通過的電流越大，當然，這是交流條件下

電容串聯(lián)值下降，相當板距在加長，

各容倒數(shù)再求和，再求倒數(shù)總?cè)萘俊?/p>

電容并聯(lián)值增加電容分壓，相當板面在增大，

并后容量很好求，各容數(shù)值來相加。

想起電阻串并聯(lián)，電容計算正相反，

電容串聯(lián)電阻并，電容并聯(lián)電阻串。

說明：兩個或兩個以上電容器串聯(lián)時，相當于絕緣距離加長，因為只有最靠兩邊的兩塊極板起作用，又因電容和距離成反比，距離增加，電容下降；兩個或兩個以上電容器并聯(lián)時，相當于極板的面積增大了，又因電容和面積成正比，面積增加，電容增大。

電容串聯(lián)：電容串聯(lián)后容量減小，耐壓值變大。公式：1\C1+1\C2=1\C 如兩個50uf串聯(lián)起來就變成25uf.

耐壓值=兩個電容耐壓值相加如兩個耐壓100V的串聯(lián)起來就變成200V的了。

電容C的串聯(lián)電路容量計算公式：1/C=1/C+1/C2+1/C3+.+1/Cn

C為電容串聯(lián)電路總電容值，C1，C2，C3，Cn為電容并聯(lián)電路各個電容的電容值

即串聯(lián)電路總電容值的倒數(shù)等于串聯(lián)電路中各個電容容量值的倒數(shù)之和

兩個電容串聯(lián)兩端加一定電壓兩電容的分壓是怎么分的

如圖C1、C2電容容量比是10：1，標稱耐壓都是1000V，兩端加1000V電壓時，C1C2的分壓分別是多少？原邊對地和副邊對地的兩個Y電容的分壓是怎么計算的？

兩個電容上的電荷Q一樣，面Q=UC

所以U1*C1=U2*C2U1/U2=C2/C1=1/10

電容串聯(lián)怎么分壓

比如：4V的電壓源，0.5F和1F的兩個電容串聯(lián)

1.如果是直流電壓源，可根據(jù)中學物理中介紹電容串聯(lián)分壓特點為：

（1）電容串聯(lián)電路兩端的總電壓等于各電容器兩端的分壓之和。即U= U1+U2+ U3+…＋Un.

（2）電容器串聯(lián)時各電容器上所分配的電壓與其電容量成反比。即Un =Q/Cn（因為在電容器串聯(lián)電路中，每個電容器上所帶的電荷量都相等，所以電容量越大的電容器分配的電壓越低，電容量越小的電容器分配的電壓越高。）

那么4V的電壓源，0.5F和1F的兩個電容上的電壓分別是8/3V和4/3V 2.如果是交流電壓源，由電容的阻抗Xc=1/jωC，可知|Xc|與C成反比，將|Xc|當做電阻來分壓計算，可所得同樣結(jié)果！

兩電容器串聯(lián)的分壓公式是什么

這是一個理論計算題，需要假設(shè)電容的耐壓值沒有余量，即超過500V時200pF的電容即擊穿；超過900V時300pF的電容即擊穿。

加上1000V電壓后，200pF的電容將承受600V電壓，不考慮電容的耐壓富余量，則200pF電容將擊穿；此時1000V將全部加在300pF的電容上，超過其耐壓，故也會擊穿。

計算公式：

若有M個電容串聯(lián)，其中任意一個電容Cn實際承受的電壓值Un為：

Un=U*C/Cn其中：U為總電壓；C為M個電容串聯(lián)后的總?cè)萘俊?/p>

對于兩個電容串聯(lián)，公式演變?yōu)椋?/p>

設(shè)總電壓是U，C1、C2上的電壓分別是U1、U2電容分壓，則

U1=C2*U/（C1+C2）

U2=C1*U/（C1+C2）

文章由啟和科技編輯