1.串聯(lián)公式：C = C1*C2/(C1 +C2)

2.并聯(lián)公式C = C1+C2+C3

補(bǔ)充部分：

串聯(lián)分壓比—— V1 = C2/(C1 + C2)*V ........電容越大分得電壓越小，交流直流條件下均如此

并聯(lián)分流比—— I1 = C1/(C1 + C2)*I ........電容越大通過(guò)的電流越大，當(dāng)然，這是交流條件下

一個(gè)大的電容上并聯(lián)一個(gè)小電容

大電容由于容量大，所以體積一般也比較大，且通常使用多層卷繞的方式制作，這就導(dǎo)致了大電容的分布電感比較大（也叫等效串聯(lián)電感電容分壓，英文簡(jiǎn)稱ESL）。

電感對(duì)高頻信號(hào)的阻抗是很大的電容分壓，所以，大電容的高頻性能不好。而一些小容量電容則剛剛相反，由于容量小，因此體積可以做得很?。s短了引線，就減小了ESL，因?yàn)橐欢螌?dǎo)線也可以看成是一個(gè)電感的），而且常使用平板電容的結(jié)構(gòu)，這樣小容量電容就有很小ESL這樣它就具有了很好的高頻性能，但由于容量小的緣故，對(duì)低頻信號(hào)的阻抗大。

所以，如果我們?yōu)榱俗尩皖l、高頻信號(hào)都可以很好的通過(guò)，就采用一個(gè)大電容再并上一個(gè)小電容的方式。

常使用的小電容為0.1uF的CBB電容較好(瓷片電容也行)，當(dāng)頻率更高時(shí)，還可并聯(lián)更小的電容，例如幾pF，幾百pF的。而在數(shù)字電路中，一般要給每個(gè)芯片的電源引腳上并聯(lián)一個(gè)0.1uF的電容到地（這個(gè)電容叫做退耦電容，當(dāng)然也可以理解為電源濾波電容,越靠近芯片越好），因?yàn)樵谶@些地方的信號(hào)主要是高頻信號(hào)，使用較小的電容濾波就可以了。

理想的電容，其阻抗隨頻率升高而變?。≧＝1/jwc）, 但理想的電容是不存在的，由于電容引腳的分布電感效應(yīng)，在高頻段電容不再是一個(gè)單純的電容，更應(yīng)該把它看成一個(gè)電容和電感的串聯(lián)高頻等效電路，當(dāng)頻率高于其諧振頻率時(shí)，阻抗表現(xiàn)出隨頻率升高而升高的特性，就是電感特性，這時(shí)電容就好比一個(gè)電感了。相反電感也有同樣的特性。

大電容并聯(lián)小電容在電源濾波中非常廣泛的用到，根本原因就在于電容的自諧振特性。大小電容搭配可以很好的抑制低頻到高頻的電源干擾信號(hào)，小電容濾高頻（自諧振頻率高），大電容濾低頻（自諧振頻率低），兩者互為補(bǔ)充。

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