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麥克風(fēng)電容 CMOS電容式麥克風(fēng)設(shè)計(jì)詳解

電容式麥克風(fēng)的中心議題:

電容式麥克風(fēng)的解決方案:

隨著智能手機(jī)的興起,對(duì)于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來越受到大家的重視,近年來廣泛應(yīng)用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(fēng)(ECM),電容式微機(jī)電麥克風(fēng)采用硅半導(dǎo)體材料制作,這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-Δ ADC)電路,實(shí)現(xiàn)模擬或數(shù)字微機(jī)電麥克風(fēng)元件,以及制造微型化元件,非常適合應(yīng)用于輕薄短小的便攜式裝置。本文針對(duì)CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)的設(shè)計(jì)與制造進(jìn)行介紹,并比較純MEMS與CMOS工藝微導(dǎo)入麥克風(fēng)的差異。

電容式微麥克風(fēng)原理

MEMS微麥克風(fēng)是一種微型的傳感器。其原理是利用聲音變化產(chǎn)生的壓力梯度使電容式微麥克風(fēng)的聲學(xué)振膜受聲壓干擾而產(chǎn)生形變,進(jìn)而改變聲學(xué)振膜與硅背極板之間的電容值。該電容值的變化由電容電壓轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)化為電壓值的輸出變化,再經(jīng)過放大電路將MEMS傳感器產(chǎn)生得到電壓放大輸出,從而將聲壓信號(hào)轉(zhuǎn)化成電壓信號(hào)。在此必須采用一個(gè)高阻抗的電阻為MEMS傳感器提供一個(gè)偏置電壓VPP,借以在MEMS傳感器上產(chǎn)生固定電荷,最后的輸出電壓將與VPP 及振膜的形變?chǔ)成正比。振膜的形變與其剛性有關(guān),剛性越低則形變越大;另一方面,輸出電壓與d(氣隙)成反比,因此氣隙越低,則輸出電壓及靈敏度越優(yōu),但這都將受限于MEMS傳感器的吸合電壓麥克風(fēng)電容,也就是受限于MEMS傳感器靜電場的最大極限值。

CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)電路設(shè)計(jì)

在CMOS微麥克風(fēng)設(shè)計(jì)中,電路是一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié),它將影響到微麥克風(fēng)的操作、感測,以及系統(tǒng)的靈敏度。駐極式電容微麥克風(fēng)的感應(yīng)電荷由駐極體材料本身提供的駐極電荷所產(chǎn)生麥克風(fēng)電容,而凝縮式電容微麥克風(fēng)則是采用從CMOS的操作電壓中抽取一個(gè)偏置電壓,再通過一個(gè)高阻抗電阻提供給微麥克風(fēng)的聲學(xué)振膜來提供固定的電荷源。此時(shí),若聲學(xué)振膜受到聲壓驅(qū)動(dòng)而產(chǎn)生位移變化,則電極板(感測端)的電壓將會(huì)發(fā)生變化。最后,通過電路放大器將信號(hào)放大,則可實(shí)現(xiàn)模擬麥克風(fēng)的電路設(shè)計(jì);如果再加上一個(gè)∑-Δ ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換電路,便可完成數(shù)字麥克風(fēng)的電路設(shè)計(jì)(一般數(shù)字麥克風(fēng)的輸出信號(hào)為1比特PDM輸出)。

CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)工藝分類

得勝電容麥克風(fēng)_麥克風(fēng)電容_電容麥克風(fēng)推薦

從微機(jī)電麥克風(fēng)的制造來看,就目前的技術(shù)層面而言,集成CMOS電路的MEMS元件可分為三種。Pre-CMOS MEMS工藝:先制作MEMS結(jié)構(gòu),再制作CMOS元件;Intra-CMOS MEMS工藝:CMOS與MEMS元件工藝混合制造;Post-CMOS MEMS工藝:先實(shí)現(xiàn)CMOS元件,再進(jìn)行MEMS結(jié)構(gòu)制造。一般而言,前兩種方法無法在傳統(tǒng)的晶圓廠進(jìn)行,而Post-CMOS MEMS則可以在半導(dǎo)體晶圓代工廠進(jìn)行生產(chǎn)。

下圖簡述了Post-CMOS MEMS的制造方式。在Post-CMOS MEMS工藝中需特別注意,不能讓額外的熱處理或高溫工藝影響到CMOS組件的物理特性及MEMS的應(yīng)力狀態(tài),以免影響到振膜的初始應(yīng)力。鑫創(chuàng)科技公司克服了諸多的技術(shù)難題,完全采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝來同時(shí)制造電路元件及微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)。在CMOS部分完成后,將芯片的背面研磨至適當(dāng)厚度以符合封裝要求。最后,利用氫氟酸溶液(HF)去除犧牲氧化物來釋放懸浮結(jié)構(gòu)。此外,在設(shè)計(jì)中還需考慮可完全去除犧牲材料而又不損害麥克風(fēng)振膜的蝕刻方法,并應(yīng)避免麥克風(fēng)振膜與背電極板之間產(chǎn)生粘黏現(xiàn)象。

粘黏現(xiàn)象:由于麥克風(fēng)振膜與背電極板之間的距離僅為數(shù)微米,在該尺寸下,當(dāng)表面張力、范德華力、靜電力、離子鍵等作用力大于麥克風(fēng)振膜的回復(fù)力時(shí),麥克風(fēng)振膜將產(chǎn)生永久形變而附著于背電極板上,從而無法產(chǎn)生振動(dòng)。通常,微機(jī)電懸浮結(jié)構(gòu)粘黏現(xiàn)象的主要成因可以分為兩類:第一類發(fā)生在麥克風(fēng)振膜釋放后,麥克風(fēng)振膜受到表面張力影響,因而被拉近到與背電極板的距離非??拷?,若此時(shí)范德華力或氫鍵力等表面力大于麥克風(fēng)振膜的回復(fù)力,則結(jié)構(gòu)將產(chǎn)生粘黏現(xiàn)象而無法回復(fù);第二類是懸浮結(jié)構(gòu)在使用中受到外力沖擊或是靜電力吸引而落入表面力較回復(fù)力大的區(qū)域,則也會(huì)發(fā)生粘黏現(xiàn)象。因此,在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上,必須特別考慮麥克風(fēng)振膜在釋放后的結(jié)構(gòu)變形問題,并在重要的結(jié)構(gòu)部位予以強(qiáng)化,利用特殊設(shè)計(jì)來減少粘黏現(xiàn)象的發(fā)生。


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