二極管的伏安特性

硅管導(dǎo)通電壓0.6~0.8V，反向飽和電流小于0.1uA

鍺管導(dǎo)通電壓0.1-0.3V，反向飽和電流幾十uA

穩(wěn)壓二極管

反向擊穿時(shí)，在一定電流范圍內(nèi)，電壓值幾乎不變，表現(xiàn)出穩(wěn)壓特性。

只要不超過(guò)穩(wěn)壓管的額定功率，電流越大，穩(wěn)壓效果越好

晶體三極管

臨界飽和和臨界放大：UBE=UCE

截止區(qū)：UBE≤UON,UCE≥UBE

放大區(qū)：UBE＞UON,UCE≥UBE

飽和區(qū)：UBE＞UON,UCE＜UBE

當(dāng)IB=0時(shí), IC→0 ,稱(chēng)為三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi);

當(dāng)IB>0時(shí), IB輕微的變化,會(huì)在IC上以幾十甚至百多倍放大表現(xiàn)出來(lái);

當(dāng)IB很大時(shí)，IC變得很大，不能繼續(xù)隨IB的增大而增大，三極管失去放大功能，表現(xiàn)為開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。

三極管核心功能：

放大功能：小電流微量變化，在大電流上放大表現(xiàn)出來(lái)。

開(kāi)關(guān)功能：以小電流控制大電流的通斷。

三極管的放大功能

IC = β * IB （其中β≈ 10~400 ）

例：當(dāng)基極通電流IB=50μA時(shí),集極電流:

IC=βIB=120*50μA=6000μA

微弱變化的電信號(hào)通過(guò)三極管放大成波幅度很大的電信號(hào)，如下圖所示：

所以，三極管放大的是信號(hào)波幅，三極管并不能放大系統(tǒng)的能量。

能放大多少，取決于三極管的放大倍數(shù)β值

首先β由三極管的材料和工藝結(jié)構(gòu)決定：

如硅三極管β值常用范圍為：30~200

鍺三極管β值常用范圍為：30~100

β值越大，漏電流越大，β值過(guò)大的三極管性能不穩(wěn)定。

其次β會(huì)受信號(hào)頻率和電流大小影響：

信號(hào)頻率在某一范圍內(nèi)，β值接近一常數(shù)，當(dāng)頻率越過(guò)某一數(shù)值后，β值會(huì)明顯減少。

β值隨集電極電流IC的變化而變化，IC為mA級(jí)別時(shí)β值較小。一般地，小功率管的放大倍數(shù)比大功率管的大。

溫度幾乎影響三極管所有的參數(shù)，其中對(duì)以下三個(gè)參數(shù)影響最大。

（1）對(duì)放大倍數(shù)β的影響：

在基極輸入電流IB不變的情況下，集極電流IC會(huì)因溫度上升而急劇增大。

（2）對(duì)反向飽和電流（漏電流）ICEO的影響：

ICEO是由少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)形成的，它與環(huán)境溫度關(guān)系很大，ICEO隨溫度上升會(huì)急劇增加。溫度上升10℃，ICEO將增加一倍。

雖然常溫下硅管的漏電流ICEO很小，但溫度升高后，漏電流會(huì)高達(dá)幾百微安以上。

（3）對(duì)發(fā)射結(jié)電壓 UBE的影響：

溫度上升1℃，UBE將下降約2.2mV。

溫度上升，β、IC將增大，UCE將下降，在電路設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮采取相應(yīng)的措施，如遠(yuǎn)離熱源、散熱等,克服溫度對(duì)三極管性能的影響。

一般地：鍺管為PNP型，硅管為NPN型

復(fù)合管

復(fù)合管的組成原則：

1.在正確的外加電壓下，每只管子的各級(jí)電流均有合適的通路，且均工作在放大區(qū)或恒流區(qū)；

2.為實(shí)現(xiàn)電流的放大，應(yīng)將第一級(jí)管子的集電極（漏極）或發(fā)射級(jí)（源級(jí)）電流作為第二只管子的基極電流；

3.三極管和場(chǎng)效應(yīng)管聯(lián)合使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電阻無(wú)窮大，會(huì)使前端無(wú)輸出電流，而不符合。

在電子電路中，放大的對(duì)象是變化量，放大的本質(zhì)是在輸入信號(hào)的作用下，通過(guò)有源元件（晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管）對(duì)直流電源的能量進(jìn)行控制和轉(zhuǎn)換，使負(fù)載從電源中獲得的輸出信號(hào)能量比信號(hào)源向放大電路提供的能量大的多。晶體管放大電路有共射、共集、共基三種接法，場(chǎng)效應(yīng)管有共源、共漏接法（與晶體管放大電路共射、共集接法相對(duì)應(yīng)）。以下通過(guò)3個(gè)主要性能（放大倍數(shù)A、輸入電阻Ri、輸出電阻Ro）指標(biāo)對(duì)晶體管三種基本接法進(jìn)行比較。

基本共射放大電路，交流通路，等效電路

放大倍數(shù)：A=Uo/Ui=-βRc/rbe;

輸入電阻：Ri=Rb//rbe;

輸入電阻：Ro=Rc;

基本共集放大電路：交流通路，等效電路

放大倍數(shù)：A=Uo/Ui=IeRe/[Ib(Rb+rbe)+(1+β)IbRe]；