肖特基二極管和快恢復(fù)二極管有什么區(qū)別肖特基二極管的基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導(dǎo)體（N 型硅片）的接觸面上，用已形成 的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與 PN 結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有 40V 左右。其特長是：開關(guān)速度非?？欤悍聪蚧謴?fù)時間特別地短。因此，能制作開關(guān)二極管和低壓大 電流整流二極管。肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除鎢材 料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為型半導(dǎo)體。這種 器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的 PN 結(jié)大得多。由于 肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響僅為 RC 時間常數(shù)限制，因而，它是 高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá) 100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體） 肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。肖特基二極管(Schottky Diodes)： 肖特基二極管利用金屬與半導(dǎo)體接觸所形成的勢壘對電流 進(jìn)行控制。它的主要特點(diǎn)是具有較低的正向壓降（0.3V 至 0.6V）；另外它是多子參與導(dǎo)電，這就 比少子器件有更快的反應(yīng)速度。

肖特基二極管常用在門電路中作為三極管集電極的箝位二極管， 以防止三極管因進(jìn)入飽和狀態(tài)而降低開關(guān)速度。肖特基勢壘二極管 SBD（Schottky Barrier Diode，簡稱肖特基二極管）是近年來間世的低功 耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H 0.4V 左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千安培。這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管所無法比擬的。中、小功率 肖特基整流二極管大多采用封裝形式。1．結(jié)構(gòu)原理綜上所述，肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與 PN 結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將 PN 結(jié)整流管稱作 結(jié)整流管，而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管，近年來，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖 特基二極管也已問世，這不僅可節(jié)省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數(shù)的一致性。肖特基整流管僅用一種載流子（電子）輸送電荷，在勢壘外側(cè)無過剩少數(shù)載流子的積累，因 此，不存在電荷儲存問題（Qrr→0），使開關(guān)特性獲得時顯改善。其反向恢復(fù)時間已能縮短到 10ns 以內(nèi)。但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時 100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。 利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、大電流整流（或續(xù)流）電路的效率 。

快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管（5us 以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有 采用 PN 結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的 PIN 結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓 多在 1200V 以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。前者反向恢復(fù)時間為數(shù)百納秒 或更長，后者則在 100 納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低（0.4—1.0V）、反向恢復(fù)時間很短（0-10 納秒），而且反向漏電 流較大，耐壓低，一般低于 150V，多用于低電壓場合。這兩種管子通常用于開關(guān)電源。 肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：前者的恢復(fù)時間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時間大約為幾納秒！ 前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗，大電流，超高速！電特性當(dāng)然都是二極管！快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時也能得到 較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件.肖特基二極管：反向耐壓值較低(一般小于 150V)，通態(tài)壓降 0.3-0.6V，小于 10nS 的反向恢復(fù) 時間。