二極管正向?qū)ê髢啥说碾妷菏嵌嗌伲?/p>
作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2018-03-30 10:28
二極管有導(dǎo)通和截止兩種工作狀態(tài)。而且導(dǎo)通和截止有一定的工作條件。如果給二極管的正極加上高于負(fù)極的電壓，稱為二極管的正向偏置電壓，當(dāng)該電壓達(dá)到一定數(shù)值時(shí)二極管導(dǎo)通，導(dǎo)通后二極管相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體，電阻很小，相當(dāng)于接通，如圖所示。
當(dāng)二極管兩端外加電壓發(fā)生變化時(shí)，一方面PN結(jié)寬窄變化，勢(shì)壘區(qū)內(nèi)的施主陰離子和受主陽離子數(shù)量會(huì)改變；另一方面擴(kuò)散的多子和漂移的少子數(shù)量也會(huì)因電壓變化而改變。這種情況與電容的作用類似，分別用勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容來表示。當(dāng)二極管兩端外加正向電壓時(shí)，它削弱PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)減弱二極管電壓是多少，擴(kuò)散和漂移的動(dòng)態(tài)平衡被破壞二極管電壓是多少，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大于漂移運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致P區(qū)的多子空穴流向N區(qū)，N區(qū)的多子電子流向P區(qū)，進(jìn)入P區(qū)的電子和進(jìn)入N區(qū)的空穴分別成為該區(qū)的少子，因此，在P區(qū)和N區(qū)的少子比無外加電壓時(shí)多，這些多出來的少子稱為非平衡少子。
在正向電壓作用下，P區(qū)空穴越過PN結(jié)，在N區(qū)的邊界上進(jìn)行積累，N區(qū)電子越過PN結(jié)，在P區(qū)的邊界上進(jìn)行積累，這些非平衡少子依靠積累時(shí)濃度差在N區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散，形成一定的濃度梯度發(fā)布，靠近邊界濃度高，遠(yuǎn)離邊界濃度低?？昭ㄔ谙騈區(qū)擴(kuò)散過程中，部分與N區(qū)中的多子電子相遇而復(fù)合，距離PN結(jié)邊界越遠(yuǎn)，復(fù)合掉的空穴就越多。反之亦然，電子在向P區(qū)擴(kuò)散過程中，部分電子與P區(qū)中的多子空穴相遇而復(fù)合，距離PN結(jié)邊界越遠(yuǎn)，復(fù)合掉的電子就越多。二極管正向?qū)〞r(shí)，非平衡少數(shù)載流子就會(huì)在邊界附近積累，產(chǎn)生電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。
二極管導(dǎo)通后，在回路中的電流流向是從正極流向負(fù)極，不能從負(fù)極流向正極，否則二極管已經(jīng)損壞。
二極管導(dǎo)通的條件：
正向偏置電壓,正向偏置電壓大到一定程度，對(duì)于硅管而言0.7V，對(duì)于鍺管而言為0.2V。
對(duì)于一個(gè)硅二極管正向電壓大于0.5V的時(shí)候，就會(huì)有正向電流。通常情況下，硅二極管正向電壓不會(huì)超過0.7V。那如果在這個(gè)二極管兩端加上10V的電壓，那么此時(shí)經(jīng)過電源內(nèi)阻限流后，電流超過了此二極管所能承受的最大電流，二極管就被燒毀了！不超過二極管的允許最大電流，那么肯定是電源有內(nèi)阻承擔(dān)了另外過多的電壓。此時(shí)二極管的電壓肯定是0.7V。它的作用和穩(wěn)壓管類似，只要符合了穩(wěn)壓管的條件它就穩(wěn)壓，超過了或者不穩(wěn)壓，或者被燒毀。如果是一個(gè)能力特別強(qiáng)的電源，比如是理想電源，那么二極管肯定是被擊穿的。也就是，在二極管沒有被擊穿的情況下，這個(gè)硅二極管兩端的電壓一般就是0.5V-0.7V左右了。這就是導(dǎo)通后的穩(wěn)壓特性了。如果沒有電阻或者其它的器件為它承擔(dān)多余的電壓，它肯定會(huì)被擊穿或者燒毀。
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