混頻二極管是一種肖特基勢壘二極管，與一般二極管相比，由于利用多數(shù)載流子工作，沒有少數(shù)載流子儲存效應，所以具有頻率高、噪聲低和反向電流小等特點，主要用于混頻器。

混頻二極管的原理

混頻二極管是一種肖特基勢壘二極管，它是利用金屬和N型半導體相接觸所形成的金屬——半導體結的原理而制成的。當金屬與半導體相接觸時，它們的交界面處會形成阻礙電子通過的肖特基勢壘，即表面勢壘。為了使半導體中的載流子容易地越過勢壘進入金屬，它必須采用電子逸出功（電子跑出半導體或金屬表面所需的能量）比金屬大得多的N型半導體。當二極管加上正向偏壓時，勢壘下降，多數(shù)載流子（電子）便從半導體進入金屬。

混頻二極管與一般二極管相比，由于利用多數(shù)載流子工作，沒有少數(shù)載流子儲存效應二極管混頻原理，所以具有頻率高、噪聲低和反向電流小等特點，主要用于混頻器。使用二極管混頻方式時，在500～10，000Hz的頻率范圍內，多采用肖特基型和點接觸型二極管。

混頻二極管的電特性

1、正向特性 這里以日立公司的1ss86/1ss87為例說明。它們的正向特性由圖1所示，當正向電流if為1ma時，1ss86的正向壓降vf≤0.2v，1ss87的vf≤0.45v；當if為10ma時，1ss86的vf=0.4v，1ss87的vf=0.6v。另外，從表1中可知，國外混頻二極管的正向特性越做越好，主要表現(xiàn)在正向特性的一致性更好，有類似于變容管的配對特性，如在if=10ma下，1ss165的vf=520mv～600mv±5mv；hsm88s/sr與hsm88as/asr的vf分別為520mv～600mv±10mv和500mv～580mv±10mv二極管混頻原理，表明vf的偏差只有5mv～10mv。

2、反向特性 它們的反向特性由圖2所示?；祛l二極管的反向漏電流較小，如在vr=2v下，1ss86的ir為20μa，1ss87的ir為1μa；在vr=4v下，1ss86的ir為70μa，1ss87的ir為4μa，表明1ss87的反向特性比1ss86好?；祛l器要求混頻二極管的反向漏電流小，這樣，混頻器的噪聲系數(shù)也小。

3、結電容 它們的結電容與反向電壓的關系由圖3所示。當vr=0v時，1ss86/1ss87的結電容c都小于0.85pf；在vr=1v時，它們的電容c都小于0.7pf。由于混頻二極管的結電容較小，所以混頻器的頻率較高。另外，從表1可知，國外混頻二極管的結電容的偏差也越來越小，如在vr=0v時，1ss88/1ss165/1ss166的電容偏差Δc均為±0.05pf；hsm88s/sr、hsm88as/asr和hsm88wa/wk的Δc均為±0.1pf。

混頻二極管應用

（１）混頻器

混頻器一般由輸入信號回路、本機振蕩器、非線性器件和濾波網(wǎng)絡等4部分組成，如圖4所示。這里的非線性器件本身僅實現(xiàn)頻率變換，本振信號由本機振蕩器產(chǎn)生。若非線性器件既產(chǎn)生本振信號，又實現(xiàn)頻率變換，則圖4變?yōu)樽冾l器。

所謂混頻，是將兩個不同的信號（如一個有用信號和一個本機振蕩信號）加到非線性器件上，取其差頻或和頻?；祛l器可根據(jù)所用非線性器件的不同分為二極管混頻器、晶體管混頻器、場效應管混頻器和變容管混頻器等。混頻器又可根據(jù)工作特點的不同，分為單管混頻器、平衡混頻器、環(huán)形混頻器、差分對混頻器和參量混頻器等。

在設計混頻器時應注意如下幾點：

（1）要求混頻放大系數(shù)越大越好?；祛l放大系數(shù)是指混頻器的中頻輸出電壓振幅與變頻輸入信號電壓振幅之比，也稱混頻電壓增益。增大混頻放大系數(shù)是提高接收機靈敏度的一項有力措施。

（2）要求混頻器的中頻輸出電路有良好的選擇性，以抑制不需要的干擾頻率。

（3）為了減少混頻器的頻率失真和非線性失真以及本振頻率產(chǎn)生的各種混頻現(xiàn)象，要求混頻器工作在非線性特性不過于嚴重的區(qū)域，使之既能完成頻率變換，又能少產(chǎn)生各種形式的干擾。