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快恢復(fù)二極管與肖特基二極管 快恢復(fù)二極管的作用與肖特基二極管的區(qū)別_電子/電路_工程科技_專業(yè)資料

快恢復(fù)二極管的作用答 1: 一般地說用于較高頻率的整流和續(xù)流。 至于電源模塊的輸入部份,好像頻率不高,不必用快恢復(fù)二極管,用普通二極管即可。 答 2: .對于二極管來說,加在其兩端的電壓由正向變到反向時,響應(yīng)時間一般很短,而相反的由反向 變正向時其時間相對較長,此即為反向恢復(fù)時間,當(dāng)二極管用做高頻整流等時,要求反向恢復(fù)時 間很短,此時就需要快恢復(fù)二極管(FRD),更高的超快恢復(fù)二極管(SRD),開關(guān)二極管, 最快的是肖特基管(其原理不同于以上幾個二極管)快恢復(fù)二極管(簡稱 FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管,主 要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM 脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極管、續(xù)流二極 管或阻尼二極管使用??旎謴?fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通 PN 結(jié)二極管不同,它屬于 PIN 結(jié)型二極管,即在 P 型硅材 料與 N 型硅材料中間增加了基區(qū) I,構(gòu)成 PIN 硅片。因基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,所以快 恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間較短,正向壓降較低,反向擊穿電壓(耐壓值)較高。通常,5~20A 的快恢復(fù)二極管管采用 TO–220FP 塑料封裝,20A 以上的大功率快恢復(fù)二 極管采用頂部帶金屬散熱片的 TO–3P 塑料封裝,5A 以下的快恢復(fù)二極管則采用 DO–41、D O–15 或 DO–27 等規(guī)格塑料封裝。

肖特基二極管和快恢復(fù)二極管有什么區(qū)別 快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管(5us 以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用 PN 結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的 PIN 結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(0.5-2V),反向耐壓 多在 1200V 以 下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。前者反向恢復(fù)時間為數(shù)百納秒或更長,后 者則在 100 ns(納秒)以下。肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管,簡稱肖特基二極管 (Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--1.0V)、反向恢復(fù)時間很短(2-10ns 納秒),而且反向 漏電流較大,耐壓低,一般低于 150V,多用于低電壓場合。 肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別:前者的恢復(fù)時間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復(fù) 時間大約為 幾納秒!前者的優(yōu)點還有低功耗,大電流,超高速!電特性當(dāng)然都是二極管! 快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時也能 得到較高的 耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件.肖特基二極管:反向耐壓值較低(一般小于 150V),通態(tài)壓降 0.3-0.6V快恢復(fù)二極管與肖特基二極,小于 10nS 的反 向恢復(fù)時間。

它 是有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還 可以采用 金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵,多為 N 型半導(dǎo)體。這種器件是由 多數(shù)載流子導(dǎo) 電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的 PN 結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少 數(shù)載流子的存 貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響僅為 RC 時間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。 其工作頻率 可達(dá) 100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來制作太陽能電 池或發(fā)光二極 管??旎謴?fù)二極管:有 0.8-1.1V 的正向?qū)▔航担?5-85nS 的反向恢復(fù)時間,在導(dǎo)通和截止 之間迅速轉(zhuǎn)換, 提高了器件的使用頻率并改善了波形??旎謴?fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等 工藝,可獲得 較高的開關(guān)速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流 元件.快恢復(fù)二極管 FRD(Fast Recovery Diode)是近年來問世的新型半導(dǎo)體器件,具有開關(guān) 特性好,反向恢 復(fù)時間短、正向電流大、體積小、安裝簡便等優(yōu)點。超快恢復(fù)二極管 SRD(Superfast Recovery Diode ),則是在快恢復(fù)二極管基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,其反向恢復(fù)時間 trr 值已接近于肖特基二極管的 指標(biāo)。


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