圖1：SMBF封裝碳化硅肖特基二極管

針對PD快充“小輕薄”的特點，碳化硅功率器件領先企業(yè)基本半導體在國內率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管新品，該產品具有體積小、正向導通壓低和抗浪涌能力強等特點，能很好地滿足PD快充對器件的特殊需求。

圖2：基本半導體SMBF封裝碳化硅二極管發(fā)布會

更小體積

在PD這種極度緊湊的應用中，PCB面積極其珍貴二極管，超薄型PD快充通常優(yōu)先選擇厚度低于2mm的表貼器件。

圖3：SMBF封裝碳化硅二極管實物

圖4：SMBF尺寸圖

基本半導體SMBF封裝碳化硅肖特基二極管最大的優(yōu)點就是在PCB上的占用面積小，僅為19mm2，其長寬高分別為5.3mm*3.6mm*1.35mm二極管，比SMB封裝（厚度2.3mm）更薄，比DFN系列封裝和TO-252封裝面積更小。

表1：幾種常用的緊湊型二極管封裝尺寸對比表

圖5：幾種常用的緊湊型二極管封裝實物對比

基于不同功率的需求，客戶可以靈活地選擇采用3A/4A的器件，或者并聯(lián)使用（碳化硅肖特基二極管的VF為正溫度系數(shù)，適合并聯(lián)）。綜合來說，從厚度以及PCB占用面積來看，SMBF的尺寸更契合PD“小輕薄”的特點。

采用ClipBond焊接工藝

SMBF封裝碳化硅肖特基二極管采用ClipBond焊接工藝，該工藝將器件的引線框架與芯片的上下表面分別進行焊接實現(xiàn)連接。與傳統(tǒng)的芯片上表面打鋁綁定線的連接技術相比，ClipBond工藝具有以下技術優(yōu)勢：

圖6：SMBF截面示意圖

低正向導通壓降

基本半導體TO-252封裝B1D04065E型號碳化硅肖特基二極管已在PD行業(yè)批量應用，此次新推出的SMBF封裝B2D04065V產品與之相比具有更低的正向導通電壓（參見表2）。

值得注意的是，B1D04065E為基本半導體第一代碳化硅二極管產品，B2D04065V為第二代碳化硅二極管，其主要改進點是采用了襯底減薄工藝，使二極管的VF顯著下降。

表2：B1D04065E和B2D04065V導通壓降對比

B1D04065E:△VF（Tj=150℃-Tj=25℃）=0.25V；

B2D04065V:△VF（Tj=150℃-Tj=25℃）=0.20V；

通過對比SMBF和TO-252的△VF，△VF–SMBF" data-textnode-index="46" data-index="1160" data-modify-id="1618409388">＜△VF–TO-252，B2D04065V的VF和Tj的依賴性更好，高溫下的導通損耗更低。

圖7：IFVS.VF特性圖

高浪涌電流能力IFSM

在PFC電路中，升壓二極管需要應對電網接入瞬間的電流沖擊。全球電網工頻主要采用50Hz和60Hz，以50Hz工頻電網為例，其一個周期內半波脈寬為10ms，器件應用在50Hz電網對應的PFC電路中時，需要標定10ms正弦波浪涌電流能力IFSM，而應用在60Hz電網對應的PFC電路中時，需要標定8.3ms正弦波浪涌電流能力。

圖8：PFC電路升壓二極管浪涌沖擊示意圖

表3：B1D04065E和B2D04065V浪涌電流能力IFSM對比

基本半導體首款基于SMBF封裝650V4A的碳化硅肖特基二極管已經面世，650V系列將逐步推出2-6A規(guī)格產品。

基本半導體掌握國際領先的碳化硅核心技術，研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等全產業(yè)鏈，先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車規(guī)級全碳化硅功率模塊等系列產品，性能達到國際先進水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產品已通過AEC-Q101可靠性測試，其他同平臺產品也將逐步完成該項測試。

基本半導體碳化硅功率器件產品被廣泛應用于新能源、電動汽車、智能電網、軌道交通、工業(yè)控制、國防軍工及消費電子領域。

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文章由啟和科技編輯