LED顯示：美國能源部（DOE）下屬能源轉(zhuǎn)換機構(gòu)ARPA-E已經(jīng)選定氮化鎵對氮化鎵（GaN-on-GaN）新成立公司Soraa來引領(lǐng)GaN基質(zhì)研發(fā)項目。 （中國道路照明網(wǎng)訊）美國能源部（DOE）下屬能源轉(zhuǎn)換機構(gòu)ARPA-E已經(jīng)選定氮化鎵對氮化鎵（GaN-on-GaN）新成立公司Soraa來引領(lǐng)GaN基質(zhì)研發(fā)項目。

新成立公司Soraa在二月份舉辦的照明策略大會（the Strategies in Light Conference）上毫無動靜，但隨后憑借GaN-on-GaN LED技術(shù)崛起，目前，該公司宣稱將引領(lǐng)專注于GaN基質(zhì)研發(fā)的DOE項目。美國能源部稱之為先進研究項目結(jié)構(gòu)--能源（ARPA-E,Advanced Research Projects Agency - Energy），2011年初始資金資助Soraa,現(xiàn)在Soraa已經(jīng)成為DOE的優(yōu)先合同商。

Soraa認為，GaN能立即應(yīng)用到亮度更高的LED和其他行業(yè)中。對基質(zhì)和外延層使用相同的材料能更好地與水晶結(jié)構(gòu)相結(jié)合。Soraa表示，這能夠驅(qū)動更高電流的LED,而實現(xiàn)更低的偏差。

Soraa指出，半導(dǎo)體行業(yè)中的其他分部使用稱之為同底基質(zhì)的材料，如用于制造微處理器等大量數(shù)字IC的硅對硅（silicon-on-silicon）技術(shù)。在LED和其他應(yīng)用中采用GaN-on-GaN技術(shù)已經(jīng)受到了基質(zhì)高成本的阻撓。ARPA-E機構(gòu)希望利用此次機會研發(fā)出美國開發(fā)的解決方案。

Soraa創(chuàng)始人Shuji Nakamura在其研發(fā)高功率LED工作中具有豐富的GaN經(jīng)驗。Shuji Nakamura表示，“我已經(jīng)花費數(shù)十年的時間來研究LED中的氮化鎵，因為我相信這是一項很重要的開發(fā)，并在照明、電力電子和其他領(lǐng)域的節(jié)能技術(shù)上具有廣闊的前景”.

“ARPA-E很清楚Soraa的系統(tǒng)設(shè)計和能力代表了一條通往高質(zhì)量和低成本GaN基質(zhì)的突破之路”,ARPA-E項目總監(jiān)Mark Johnson表示，“我們很高興支持他們開發(fā)、提高晶體質(zhì)量和設(shè)備性能”.

DOE認為，GaN基質(zhì)具有極大減少美國能源消耗的潛能。再者，DOE預(yù)測LED、激光器二極管和電力電子等GaN產(chǎn)品每年的市值超過500億美元。

“對于ARPA-E承認Soraa的GaN基質(zhì)技術(shù)，我們感到很高興和很榮幸”,Soraa在該項目的首席投資者Mark D''EvELyn表示，“DOE對該轉(zhuǎn)換技術(shù)的認知和支持有望加快提升節(jié)能水平，加強美國LED技術(shù)的能力和提高其他眾多應(yīng)用的性能”.