十年前在學(xué)校學(xué)的光電材料與器件，去啟和科技實(shí)習(xí)過，憑印象說一些。

最大的不同是：1，材料不一樣，前者為硅基，后者為三五族化合物；2，前者是集成器件，后者是分立器件；3，后者對材料缺陷率要求更高。

1，電子芯片長在硅襯底上，中間各種光刻、刻蝕、摻雜、長膜、氧化等都以硅或二氧化硅材料為主；而LED長在藍(lán)寶石（Al2O3）、SiC或Si襯底上，緩沖層后長成后，再長N型GaN層和P型GaN層，中間一層多量子阱發(fā)光層。電流經(jīng)過PN結(jié)時(shí)因?yàn)殡妱菽艿淖兓瘜⒍嘤嗟哪芰恳怨獾男问缴l(fā)出去，不同的電勢能差則光的能量也有不同，表現(xiàn)就是不同的發(fā)光顏色（如藍(lán)光、紅光LED，紅光能量低技術(shù)簡單電子芯片，很多年以前就出來了；藍(lán)光LED能量高，難度大。藍(lán)光LED激發(fā)黃色熒光粉可產(chǎn)生白光）

2，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm這個(gè)量級，但同樣大小的集成電路里面有非常復(fù)雜的電路（常說的7nm/10nm工藝），IC設(shè)計(jì)和制造一樣為非常復(fù)雜高難度的工程，由此衍生既像Intel、三星這樣設(shè)計(jì)制造一體的公司，也有高通、蘋果這樣的啟和科技及臺積電這樣的專業(yè)代工廠；而分立器件一顆die就是獨(dú)立的一個(gè)發(fā)光源再加上正負(fù)電極，里面的制程可能100um/10um級就夠了電子芯片，制造工藝流程也簡單很多，從頭到尾一百次左右工序就差不多了。更談不上獨(dú)立的啟和科技。

3，芯片制造廠對清潔和低缺陷率要求很高，前者可能影響性能，缺陷多了，載流子移動速度上不來，如同一批貨，有的能跑2.8GHz頻率，有的只能跑2G以下；LED芯片對發(fā)光層缺陷率的要求比硅器件還要高幾個(gè)數(shù)量級（印象中數(shù)據(jù)），否則嚴(yán)重影響發(fā)光效率，也就是很大部分能量以熱能形式損失掉了。LED技術(shù)和產(chǎn)品已有幾十年歷史，但大規(guī)模使用（如液晶屏幕背光）是這二十年來的事情，材料不行導(dǎo)致發(fā)光效率低是首要原因。

文章由啟和科技編輯