瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率，在低壓低功率中又可分為I型（CC型）和II型（CT型）。

I型（CC型）特點是體積小， 損耗低，電容對頻率，溫度穩(wěn)定性都較高，常用于高頻電路。

II型（CT型）特點是體積小，損耗大，電容對溫度頻率，穩(wěn)定性都較差瓷介電容，常用于低頻電路。

CC1型圓片高頻瓷介電容

適用于諧振回路及其他電路做溫度補償，耦合，隔直使用。損耗：《0.025絕緣電阻：10000mohm 試驗電壓：200v

允許偏差：5p（+-0.5p） 6-10p（+-1P） 10p以上（J，K，M）溫度系數(shù)：-150--- -1000PPM/C環(huán)境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達(dá)96%

瓷介電容器又稱陶瓷電容器，它以陶瓷為介質(zhì)，涂敷金屬薄膜（一般為銀）經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而形成電極，再在電極上焊上引出線，外表涂以保護(hù)磁漆，或用環(huán)氧樹脂及酣自主樹脂包封，即成為瓷介電容器。

作為資介電容器介質(zhì)的陶瓷材料是由各種原料按照不同的配方經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后制成的。陶程材料配方不同，它的電性能也不-樣。利用這一點，就可以制造出各種不同介電常數(shù)和不同溫度系數(shù)的電容器，以滿足不同的使用要求。一起跟隨小編進(jìn)入本文的主題吧。

瓷介電容器常用的陶瓷介質(zhì)材料有以下三類：

Ⅰ型電容器陶瓷：它的介電常數(shù)一般小于100 ，電氣性能穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時間的改變而變化，屬超穩(wěn)定、低損耗的電容器介質(zhì)材料，常用于對穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、超高頻、甚高頻的場合。

Ⅱ型電容器陶瓷：它的介電常數(shù)一般大于1000 ，電氣性能較穩(wěn)定瓷介電容，適用于隔直、耦合、旁路和潔、波電路及對可靠性要求較高的中、低頻場合。因型電容器陶盟：它具有很高的介電常數(shù)，廣泛應(yīng)用于對容量穩(wěn)定性和損耗要求不高的場合。

以鐵酸頓為主的陶瓷材料為介質(zhì)的電容器被稱為獨石瓷介電容器，它由多層片狀陶瓷膜疊起來燒結(jié)而成。由于它的每片陶盜膜很薄，因此具有容量大、體積小的特點。

瓷介電容器具有以下特點：

1.由于電容器的介質(zhì)材料為陶哇，所以耐熱性能良好，不容易老化。

2.瓷介電容器能耐酸堿及鹽類的腐蝕，抗腐蝕性好。

3.低頻陶瓷材料的介電常數(shù)大，因而低頻瓷介電容器的體積小、容量大。

4.絕緣性能好，可制成高壓電容器。

5.高頻陶瓷材料的損耗角正切值與頻率的關(guān)系很小，因而在高頻電路可選用高頻監(jiān)介電容器。

6.價格便宜，原材料豐富，適宜大批量生產(chǎn)。

7.盟介電容器的電容量較小，機械強度較低。

文章由啟和科技編輯