SLC單層芯片電容具有尺寸小、厚度薄（厚度一般為0.15~0.5mm）、等效串聯(lián)低、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用頻率可達(dá)數(shù)GHz，適用于小型、微波的場合，可應(yīng)用于微波集成電路中，起到隔直、RF旁路、濾波、調(diào)諧等作用。單層芯片電容的底面多數(shù)采用焊接或者粘接的方式進(jìn)行安裝芯片電容，而其表面則多數(shù)采用鍵合的形式進(jìn)行安裝。芯片電容的安裝方式有以下幾種：

一、產(chǎn)品底面電極安裝，推薦采用共晶、環(huán)氧樹脂導(dǎo)電膠或焊料與電路板線路連接。

共晶：采用AuSn（80/20）（熔點(diǎn)280℃）或相近類型焊料進(jìn)行共晶焊接。產(chǎn)品焊接前應(yīng)在125℃的惰性氣體保護(hù)下進(jìn)行預(yù)熱。焊片通常采用厚度為25um、大小為芯片電容面積的1/2的尺寸規(guī)格。

環(huán)氧樹脂導(dǎo)電膠：滴下適量的環(huán)氧樹脂導(dǎo)電膠以保證良好的電性能連接并無空洞產(chǎn)生。

二、產(chǎn)品表面電極安裝，推薦采用引線鍵合工藝進(jìn)行安裝，鍵合方法推薦采用熱超聲球形焊接法或者楔焊法。

隨著單層芯片電容在電子行業(yè)中的需求日益增加，其發(fā)展方向如下：

一、大容量化

為了滿足元器件日益小型化的需求，單層芯片電容也應(yīng)迎合小尺寸、大容量的要求。單層芯片電容的外形尺寸基本確定后，需要更大的容值就需要瓷介材料有更大的介電常數(shù)。目前，三類瓷介一般能達(dá)到30000~40000的介電常數(shù)，后期會(huì)往更高介電常數(shù)發(fā)展（50000~60000）。

二、集成化

隨著通信技術(shù)的不斷發(fā)展，在超小型化、高集成化、高頻化不斷發(fā)展的動(dòng)力推動(dòng)下，將多種元器件集合為一體的多功能復(fù)合式電容器正成為技術(shù)研究熱點(diǎn)。將薄膜金終端的芯片電容和薄膜電阻集成在一起，可以減少在裝配環(huán)節(jié)的鍵合次數(shù)，降低生產(chǎn)成本。

三、高壓化

隨著T/R組件發(fā)展，氮化鎵在芯片線路中的應(yīng)用越來越多，組件向中高電壓、大功率發(fā)展。其中，電壓由現(xiàn)在的10V~30V提高至50V~100V，射頻信號(hào)帶來的沖擊電壓可達(dá)到160V，單層芯片電容也需要向更高電壓發(fā)展芯片電容，適應(yīng)T/R組件的發(fā)展。

廣東愛晟電子科技有限公司生產(chǎn)的SLC單層芯片電容，采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制程，結(jié)合自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，利用單層芯片電容加工工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了芯片電容生產(chǎn)的高精度、批量化、高可靠。

參考數(shù)據(jù)：

微信公眾號(hào) 宏科電子技術(shù)社區(qū) 《一文了解單層芯片瓷介電容器》

文章由啟和科技編輯