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電容晶振 正確的選擇電容與晶振電容的計(jì)算方式

電容電阻晶振這幾兄弟在電路中經(jīng)??梢?jiàn),而今天我們的主角就是電容!我們經(jīng)常能夠見(jiàn)到的幾種電容分別是鋁電解電容,鉭電容,貼片陶瓷電容。但是,由于這幾種電容各自特性不同,而效力在不同的場(chǎng)合。下面我們來(lái)一起了解一下這些在電路中的明星他們的特點(diǎn)和區(qū)別,在實(shí)際電路中該如何選擇。

鋁電解電容

顧名思義,其主要的組成部分就是鋁箔和電解液。簡(jiǎn)單的了解鋁電解電容的生產(chǎn)工藝,即把鋁箔卷成柱狀,注入液態(tài)電解質(zhì),再引出正負(fù)兩個(gè)端子,然后把電容的芯材密封在金屬外殼里。液態(tài)電解液中存在一定比例的水,當(dāng)電容上有漏電流流過(guò)的情況下,水可以被分解為氫氣和氧氣,氧氣通過(guò)氧化反應(yīng)可以與陽(yáng)極形成新的氧化膜,氫氣通過(guò)電容的橡膠塞排出。這樣不至于損壞電容。生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單,成本低是鋁電解電容的一個(gè)特點(diǎn)。除此之外,鋁電解電容還有以下特點(diǎn):

1. 由于密封殼不是完全的密封,電解液會(huì)容易干涸,因此鋁電解電容的使用壽命有限。

2. 由于電解液中水的存在,影響了鋁電解電容在高溫和低溫環(huán)境下的使用性能。

3.工藝特性原因,鋁電解電容的ESR,ESL比較難做小,因此鋁電解電容的自諧振頻率點(diǎn)通常都比較低,大致在幾十KHz到幾MHz范圍。

4. 鋁電解電容的容量與鋁箔的尺寸正相關(guān),容量可以做的很大,容量越大電容尺寸越大。

根據(jù)以上特性,鋁電解電容被廣泛應(yīng)用在低頻的濾波場(chǎng)合,特別是在幾十KHz到幾MHz的環(huán)境,比如電源的輸出濾波,我們經(jīng)常看到的都是鋁電解電容的身影。在使用鋁電解電容的時(shí)候,要注意電容耐壓滿足電路需求。另外,在其他要求不嚴(yán)格的情況下,容量可以盡量選擇大一些,容量越大ESR越小,更容易滿足電路目標(biāo)阻抗的要求。在某些高溫使用環(huán)境,盡量避免選擇小體積小容量的鋁電解電容,以免由于溫度過(guò)高電解液揮發(fā)干涸造成電容失效影響到整個(gè)電路的工作。

鉭電容

鉭電容是另外一種使用廣泛的電容,同鋁電解電容一樣,鉭電容也是一種電解電容。其主要的工藝流程是將鉭粉壓制成型后燒結(jié)成多孔的實(shí)心塊,經(jīng)過(guò)陽(yáng)極化處理形成氧化膜,然后覆上固體電解質(zhì)電容晶振,再覆上一層石墨及鉛錫涂層,最后用樹(shù)脂封裝成型為固體的鉭電容。鉭電容具有如下特點(diǎn):

1. 與鋁電解電容不同,鉭電容的電解質(zhì)為固體,所以不存在電解液干涸的問(wèn)題,壽命會(huì)有所提高。

2. 由于采用的固體電解質(zhì)電容晶振,其容量溫度特性比較穩(wěn)定,因此溫度對(duì)電容容量的影響較小,高低溫性能優(yōu)于鋁電解電容。

3. 鉭電解電容可以做到較大容量下較小的封裝,因此ESR,ESL都可以控制的比較小,其自諧振頻率比鋁電解電容要高。

電容晶振_單片機(jī)晶振電容作用_晶振電容

4. 工藝上比鋁電解電容復(fù)雜,成本較高。

通過(guò)比較我們可以發(fā)現(xiàn),鉭電容有很多鋁電解電容不具備的優(yōu)點(diǎn),在某些濾波的使用場(chǎng)景鉭電容可以很好的替代鋁電解電容。但是有幾個(gè)需要注意的點(diǎn):由于鉭電容的結(jié)構(gòu)決定了,鉭電容的耐壓普遍不高,在實(shí)際電路重要注意鉭電容的耐壓要求,并留有一定余量。在對(duì)付電源上電瞬間大電流沖擊和和大的電壓瞬變方面鉭電容沒(méi)有鋁電解電容優(yōu)秀。溫度對(duì)鉭電容的影響很小,在實(shí)際使用中我們可以忽略溫度對(duì)鉭電容的影響。

晶振電容該如何計(jì)算

圖中CI,C2這兩個(gè)電容就叫晶振的負(fù)載電容,分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容,一般在幾十皮法它會(huì)影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度,一般訂購(gòu)晶振時(shí)候供貨方會(huì)問(wèn)你負(fù)載電容是多少。

晶振的負(fù)載電容=[(C1*C2)/(C1+C2)]+Cic+△C

式中C1,C2為分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容,Cic集成電路內(nèi)部電容+△CPCB上電容經(jīng)驗(yàn)值為3至5pf。因此晶振的數(shù)據(jù)表中規(guī)定12pF的有效負(fù)載電容要求在每個(gè)引腳XIN與 XOUT上具有22pF2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生電容。兩邊電容為C1,C2,負(fù)載電容為:


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