晶振匹配電容的計算應(yīng)該是工程師很熟悉的一個內(nèi)容了，小編也進行了一下研究，在此分享一下，如果有覺得不對的地方還請批評指正。

大多數(shù)電子工程師都見過單片機中如下圖所示的形式，一般單片機都會有這樣的電路。晶振的兩個引腳與芯片(如單片機)內(nèi)部的反相器相連接，再結(jié)合外部的匹配電容CL1、CL2、R1、R2，組成一個皮爾斯振蕩器(Pierce oscillator)。

上圖中，U1為增益很大的反相放大器，CL1、CL2為匹配電容，是電容三點式電路的分壓電容，接地點就是分壓點。以接地點即分壓點為參考點，輸入和輸出是反相的，但從并聯(lián)諧振回路即石英晶體兩端來看，形成一個正反饋以保證電路持續(xù)振蕩，它們會稍微影響振蕩頻率，主要用與微調(diào)頻率和波形，并影響幅度。 X1是晶體晶振電容等，相當(dāng)于三點式里面的電感。

R1是反饋電阻(一般≥1MΩ)，它使反相器在振蕩初始時處于線性工作區(qū)，R2與匹配電容組成網(wǎng)絡(luò)，提供180度相移，同時起到限制振蕩幅度晶振電容等，防止反向器輸出對晶振過驅(qū)動將其損壞。

這里涉及到晶振的一個非常重要的參數(shù)，即負(fù)載電容CL(Load capacitance)，它是電路中跨接晶體兩端的總的有效電容(不是晶振外接的匹配電容)，主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻，與晶體一起決定振蕩器電路的工作頻率，通過調(diào)整負(fù)載電容，就可以將振蕩器的工作頻率微調(diào)到標(biāo)稱值。(相關(guān)閱讀可以查看YXC揚興官網(wǎng)《晶振的負(fù)載電容計算公式》)

負(fù)載電容的公式如下所示：

其中，CS為晶體兩個管腳間的寄生電容(Shunt Capacitance)

CD表示晶體振蕩電路輸出管腳到地的總電容，包括PCB走線電容CPCB、芯片管腳寄生電容CO、外加匹配電容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2。

CG表示晶體振蕩電路輸入管腳到地的總電容，包括PCB走線電容CPCB、芯片管腳寄生電容CI、外加匹配電容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1。

一般CS為1pF左右，CI與CO一般為幾個皮法，具體可參考芯片或晶振的數(shù)據(jù)手冊。

(這里假設(shè)CS=0.8pF，CI=CO=5pF，CPCB=4pF)。

比如規(guī)格書上的負(fù)載電容值為18pF，帶入公式可得CD=CG=34.4pF，計算出來的匹配電容值CL1=CL2=25pF。

是不是覺得晶振的匹配電容計算起來不難呢？需要注意的是，如果實際的負(fù)載電容配置不當(dāng),第一會引起線路參考頻率的誤差.另外如在發(fā)射接收電路上會使晶振的振蕩幅度下降(不在峰點),影響混頻信號的信號強度與信噪. ，當(dāng)波形出現(xiàn)削峰,畸變時,可增加負(fù)載電阻調(diào)整(幾十K到幾百K).要穩(wěn)定波形是并聯(lián)一個1M左右的反饋電阻。

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