晶振在現(xiàn)實(shí)應(yīng)用中不可或缺，缺少晶振，目前實(shí)現(xiàn)的諸多技術(shù)將不再可用，如PC內(nèi)部的時鐘等。本文將詳細(xì)講解晶振為何要搭配電容使用。

晶振為什么要配電容?

晶振負(fù)載電容取值直接關(guān)系到調(diào)頻的準(zhǔn)確度。如果負(fù)載電容不夠準(zhǔn)確，那么買來的晶體準(zhǔn)確度就會差。揚(yáng)興教你怎么計(jì)算負(fù)載電容，計(jì)算公式：晶振的負(fù)載電容=[(Cd*Cg)/(Cd Cg)] Cic △C 式中 Cd，Cg 為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，Cic(集成電路內(nèi)部電容) △C(PCB 上電容)一般為 3 至 5pf。

晶振為什么要加電容、需要配多大電容這要根據(jù)晶振的規(guī)格和電路中的因素來確定，同是 16MHZ 的晶體諧振器，其負(fù)載電容值有可能不一樣，如 10PF，20PF。負(fù)載電容值是在其生產(chǎn)加工過程中確定的，無法進(jìn)行改變。購買晶振時應(yīng)該能得到準(zhǔn)確的規(guī)格書。

晶振在電路中使用時，應(yīng)滿足 CL=C+CS.

·CL 為規(guī)格書中晶振的負(fù)載電容值，

·C 為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關(guān)系得到)，

CS 為電路的分布電容，這和電路的設(shè)計(jì)晶振 負(fù)載電容，元器件分布等因素有關(guān)，值不確定，一般為 3 到 5PF. 所以據(jù)以上公式就可以大概推算出應(yīng)該使用的電容值，而且這一電容值可以使晶振工作在其標(biāo)稱頻率附近。

如：我用的 430 的單片機(jī)，8M 晶振，配的是 12pF 的電容，其實(shí)容量的大小沒必要多準(zhǔn)確，幾皮法到十幾皮法都可以的。

估計(jì)都差不多，你看看芯片資料上應(yīng)該有。單片機(jī)中的外接晶振為什么要并上兩個電容 ?為什么好要接到啊?

1. 為了要滿足諧振的條件。 具體講就是：晶體元件的負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。不是所有晶體振蕩電路都需要匹配電容。是否需要由振蕩電路的形式?jīng)Q定，分析時需采用晶體的等效模型。

2. 接地：晶體旁邊的兩個電容接地， 實(shí)際上就是電容三點(diǎn)式電路的分壓電容， 接地點(diǎn)就是分壓點(diǎn)。 以接地點(diǎn)即分壓點(diǎn)為參考點(diǎn)， 振蕩引腳的輸入和輸出是反相的，但從并聯(lián)諧振回路即石英晶體兩端來看晶振 負(fù)載電容， 形成一個正反饋以保證電路持續(xù)振蕩當(dāng)然，你也可以這樣理解：

晶振的標(biāo)稱值在測試時有一個“負(fù)載電容”的條件，在工作時滿足這個條件，振蕩頻率才與標(biāo)稱值一致，也就是說，只有連接合適的電容才能滿足晶振的起振要求，晶振才能正常工作。

以上就是兆億微波商城晶振搭配電容適配的簡單介紹，看完本文，相信大家已經(jīng)對晶振搭配電容的使用有所了解了！

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