01、振蕩電路不匹配導(dǎo)致晶振不起振

影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo)：頻率誤差、負(fù)性阻抗、激勵(lì)電平

①頻率誤差太大，導(dǎo)致實(shí)際頻率偏移標(biāo)稱頻率從而引起晶振不起振；解決辦法：選擇合適的PPM值的產(chǎn)品

②負(fù)性阻抗過大太小都會(huì)導(dǎo)致晶振不起振；解決辦法：負(fù)性阻抗過大晶振起振，可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)大來降低負(fù)性阻抗;負(fù)性阻抗太小，則可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)小來增大負(fù)性阻抗；一般而言，負(fù)性阻抗值應(yīng)滿足不少于晶振標(biāo)稱最大阻抗3~5倍

③激勵(lì)電平過大或者過小也將會(huì)導(dǎo)致晶振不起振；解決辦法：通過調(diào)整電路中的Rd的大小來調(diào)節(jié)振蕩電路對(duì)晶振輸出的激勵(lì)電平；一般而言，激勵(lì)電平越小越好

02、內(nèi)部水晶片破裂或損壞導(dǎo)致不起振

運(yùn)輸過程中損壞、或者使用過程中跌落、撞擊等因素造成晶振內(nèi)部水晶片損壞，從而導(dǎo)致晶振不起振；解決辦法：更換好的晶振

03、晶振內(nèi)部水晶片上附有雜質(zhì)或者塵埃等也會(huì)導(dǎo)致晶振不起振

晶振的制程之一是水晶片鍍電極，即在水晶片上鍍上一次層金或者銀電極，這要求在萬級(jí)無塵車間作業(yè)完成。如果空氣中的塵埃顆粒附在電極上，或者有金渣銀渣殘留在電極上，則也會(huì)導(dǎo)致晶振不起振；解決辦法：更換新的晶振

04、晶振出現(xiàn)漏氣導(dǎo)致不起振

晶振在制程過程中要求將內(nèi)部抽真空后充滿氮?dú)猓绻霈F(xiàn)壓封不良，導(dǎo)致晶振氣密性不好出現(xiàn)漏氣，或者晶振在焊接過程中因?yàn)榧裟_等過程中產(chǎn)品的機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致晶振出現(xiàn)氣密性不良，均會(huì)導(dǎo)致晶振出現(xiàn)不起振的現(xiàn)象；解決辦法：更換好的晶振

05、焊接時(shí)溫度過高或時(shí)間過長，導(dǎo)致晶振內(nèi)部電性能指標(biāo)出現(xiàn)異常而引起晶振不起振

以32.768KHz直插型為例晶振起振，要求使用178°C熔點(diǎn)的焊錫，晶振內(nèi)部的溫度超過150°C，會(huì)引起晶振特性的惡化或者不起振。解決辦法：焊接制程過程中一定要規(guī)范操作，對(duì)焊接時(shí)間和溫度的設(shè)定要符合晶振的要求。引腳焊接的正確方式應(yīng)是：不在晶振引腳的根部直接焊接；280°C下焊接時(shí)間為5秒以內(nèi)，260°C下焊接時(shí)間為10秒以內(nèi)

06、儲(chǔ)存環(huán)境不當(dāng)導(dǎo)致晶振電性能惡化而引起不起振

在高溫或者低溫或者高濕度等條件下長時(shí)間使用或者保存，會(huì)引起晶振的電性能惡化，可能導(dǎo)致不起振；解決辦法：盡可能在常溫常濕的條件下使用、保存，避免晶振或者電路板受潮

07、MCU質(zhì)量問題、軟件問題等導(dǎo)致晶振不起振

目前市場上面MCU散新貨、翻新貨、拆機(jī)貨、貼牌貨等魚龍混雜，極易買到非正品。這樣電路容易出現(xiàn)問題，導(dǎo)致振蕩電路不能工作。另外即便是正品MCU，如果燒錄程序出現(xiàn)問題，也可能導(dǎo)致晶振不能起振

08、EMC問題導(dǎo)致晶振不起振

一般而言，金屬封裝的制品在抗電磁干擾上優(yōu)于陶瓷封裝制品，如果電路上EMC較大，則盡量選用金屬封裝制品。注：另外晶振下面不要走信號(hào)線，避免帶來干擾

09、物料參數(shù)選型錯(cuò)誤導(dǎo)致晶振不起振

如：某MCU需要匹配6PF的32.768KHz，結(jié)果選用12.5PF的，導(dǎo)致不起振；此時(shí)只需要更換符合要求的晶振即可解決問題

文章由啟和科技編輯