第 43 卷第 3 期2021 年 5 月湖北大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)Journal of Hubei University(Natural Science)Vol．43 No．3May 2021收稿日期:2020－12－01基金項(xiàng)目:國(guó)家自然科學(xué)基金(11674086)及貴州省經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)技術(shù)創(chuàng)新項(xiàng)目(2017021)資助作者簡(jiǎn)介:張木森(1995－ )，男，碩士生;楊昌平，通信作者，教授，E-mail:cpyang@ hubu．edu．cn文章編號(hào):1000－2375(2021)03－0289－06后續(xù)處理對(duì) SrTiO 3 基晶界層電容器絕緣電阻的影響張木森1 ，石大為 2 ，徐玲芳 1 ，王瑞龍 1 ，肖海波 1 ，梁世恒 1 ，楊昌平 1，3(1． 湖北大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院，湖北 武漢 430062;2． 湖北理工學(xué)院數(shù)理學(xué)院，湖北 黃石 435003;3．太原科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，山西 太原 030024)摘要:采用二步法制備 SrTiO 3 晶界層電容器，并對(duì)其進(jìn)行后續(xù)熱、電和液氮處理，研究處理前后電容器電學(xué)性能的變化．實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在 50 V 直流電壓和 200 ℃條件下對(duì) SrTiO 3 晶界層電容器進(jìn)行后續(xù)快速退火和液氮處理后，其介電常數(shù)和介電損耗在基本保持不變的情況下，其絕緣電阻值可得到大幅提升，從最初 30 GΩ 上升至 200 GΩ．通過處理，最后可獲得平均介電常數(shù)為 30 000，損耗為 0。

003，絕緣電阻(50 V 測(cè)量)為 200 GΩ 的高性能 SrTiO 3 晶界層電容器．關(guān)鍵詞:SrTiO 3 晶界層電容器;介電性能;后續(xù)熱電處理;絕緣電阻中圖分類號(hào):TQ174。 75 文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A DOI:10． 3969/j．issn． 1000-2375． 2021． 03． 010著錄信息: 張木森，石大為，徐玲芳，等．后續(xù)處理對(duì) SrTiO 3 基晶界層電容器絕緣電阻的影響［J］．湖北大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)，2021，43(3):289-294．Zhang M S，Shi D W，Xu L F，et al． Effect of subsequent thermal and electrical treatment on resistance of SrTiO 3 grain boundary layercapacitors［J］．Journal of Hubei University(Natural Science)，2021，43(3):289-294．Effect of subsequent thermal and electrical treatment on resistance ofSrTiO 3 grain boundary layer capacitorsZHANG Musen 1 ，SHI Dawei 2 ，XU Lingfang 1 ，WANG Ｒuilong 1 ，XIAO Haibo 1 ，LIANG Shiheng 1 ，YANG Changping 1，3(1． Faculty of Physics and Electronic Technology，Hubei University，Wuhan 430062，China;2． College of Mathematical and Physical Sciences，Hubei Polytechnic University，Huangshi 435003，China;3． Faculty of Materials Science and Engineering，Taiyuan University of Science and Technology，Taiyuan 030024，China)Abstract:SrTiO 3 grain boundary layer capacitors were fabricated by the two-step method and thedielectric properties were studied． The results show that the insulating resistance of SrTiO 3 grain boundary layercapacitor can be dramatically enhanced from the initial 30 GΩ up to 200 GΩ by the subsequent treatment ofrapid annealing at 200 ℃ under 50 V with quenching in liquid nitrogen while the dielectric constant anddielectric loss remain basically unchanged． Herein，a SrTiO 3 grain boundary layer ceramic capacitor with anaverage value of 30 000 for dielectric constant，dielectric loss 0。