本文就電容器的阻抗大小|Z|和等價串聯(lián)電阻(ESR)的頻率特性進行闡述。通過了解電容器的頻率特性，可對諸如電源線消除噪音能力和抑制電壓波動能力進行判斷，可以說是設計回路時不可或缺的重要參數(shù)。此處對頻率特性中的阻抗大小|Z|和ESR進行說明。

1.電容器的頻率特性

如假設角頻率為ω，電容器的靜電容量為C，則理想狀態(tài)下電容器(圖1)的阻抗Z可用公式

(1)表示。

圖1.理想電容器

由公式(1)可看出，阻抗大小|Z|如圖2所示，與頻率呈反比趨勢減少。由于理想電容器中無損耗，故等價串聯(lián)電阻(ESR)為零。

圖2.理想電容器的頻率特性

但實際電容器(圖3)中除有容量成分Ｃ外，還有因電介質(zhì)或電極損耗產(chǎn)生的電阻（ESR）及電極或?qū)Ь€產(chǎn)生的寄生電感(ESL)。因此，|Z|的頻率特性如圖4所示呈V字型（部分電容器可能會變?yōu)閁字型）曲線，ESR也顯示出與損耗值相應的頻率特性。

圖3.實際電容器

圖4.實際電容器的|Z|/ESR頻率特性(例)

|Z|和ESR變?yōu)閳D4曲線的原因如下。

低頻率范圍：低頻率范圍的|Z|與理想電容器相同，都與頻率呈反比趨勢減少。ESR值也顯示出與電介質(zhì)分極延遲產(chǎn)生的介質(zhì)損耗相應的特性。

共振點附近：頻率升高，則|Z|將受寄生電感或電極的比電阻等產(chǎn)生的ESR影響，偏離理想電容器（紅色虛線），顯示最小值。|Z|為最小值時的頻率稱為自振頻率，此時|Z|=ESR。若大于自振頻率，則元件特性由電容器轉(zhuǎn)變?yōu)殡姼校瑋Z|轉(zhuǎn)而增加。低于自振頻率的范圍稱作容性領域，反之則稱作感性領域。

ESR除了受介電損耗的影響，還受電極自身抵抗行程的損耗影響。

高頻范圍：共振點以上的高頻率范圍中的|Z|的特性由寄生電感(L)決定。高頻范圍的|Z|可由公式(2)近似得出，與頻率成正比趨勢增加。

ESR逐漸表現(xiàn)出電極趨膚效應及接近效應的影響。

以上為實際電容器的頻率特性。重要的是電容，頻率越高，就越不能忽視寄生成分ESR或ESL的影響。隨著電容器在高頻領域的應用越來越多，ESR和ESL與靜電容量值一樣，成為表示電容器性能的重要參數(shù)。

2.各種電容器的頻率特性

以上就電容器寄生成分ESR、ESL對頻率特性的巨大影響進行了說明。電容器種類不同，則寄生成分也會有所不同。接下來對不同種類電容器頻率特性的區(qū)別進行說明。

圖5表示靜電容量10uF各種電容器的|Z|及ESR的頻率特性。除薄膜電容器以外，全是SMD型電容器。

圖5.各種電容器的|Z|/ESR頻率特性

圖5所示電容器的靜電容量值均為10uF，因此頻率不足1kHz的容量范圍|Z|均為同等值。但1kHz以上時，鋁電解電容器或鉭電解電容器的|Z|比多層陶瓷電容器或薄膜電容器大，這是因為鋁電解電容器或鉭電解電容器的電解質(zhì)材料的比電阻升高，導致ESR增大。薄膜電容器或多層陶瓷電容器的電極中使用了金屬材料，因此ESR很低。

多層陶瓷電容器和引腳型薄膜電容器在共振點附近的特性基本相同，但多層陶瓷電容器的自振頻率高，感應范圍的|Z|則較低。這是由于引腳型薄膜電容器中只有引腳線部分的電感增大了。

由以上結果可以得出，SMD型的多層陶瓷電容器在較寬的頻率范圍內(nèi)阻抗都很低，也最適于高頻用途。

3.多層陶瓷電容器的頻率特性

多層陶瓷電容器可按原材料及形狀分為很多種類。下面就這些因素對頻率特性的影響進行說明。

(1)關于ESR

處于容性領域的ESR由電介質(zhì)材料產(chǎn)生的介質(zhì)損耗決定。Class2(種類2)中的高介質(zhì)率材料因使用強電介質(zhì)，故有ESR增大的傾向。Class１(種類1)的溫度補償材料因使用一般電介質(zhì)，因此介質(zhì)損耗非常小，ESR數(shù)值也很小。

共振點附近到感性領域的高頻領域中的ESR除受電極材料的比電阻率、電極形狀（厚度、長度、寬度）、疊層數(shù)影響外電容，還受趨膚效應或接近效應的影響。電極材料多使用Ni，但低損耗型電容器中，有時也會選用比電阻率低的Cu作為電極材料。