負(fù)載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。換句話說，晶振的頻率就是在它提供的負(fù)載電容下測(cè)得的晶振，能最大限度的保證頻率值的誤差。晶振的負(fù)載電容值是已知數(shù)，在出廠的時(shí)候已經(jīng)定下來。單片機(jī)晶振上兩個(gè)電容是晶振的外接電容，分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容，一般在幾十皮發(fā)，在選擇外接電容的時(shí)候是根據(jù)晶振廠家提供的晶振要求選值的，一般外接電容是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。

晶振的負(fù)載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg為分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容,Cic（集成電路內(nèi)部電容）+△C（PCB上電容）經(jīng)驗(yàn)值為3至5pf。兩個(gè)電容的取值都是相同的，或者說相差不大，如果相差太大，容易造成諧振的不平衡，容易造成停振或者干脆不起振。一般晶振兩端所接電容是所要求的負(fù)載電容的兩倍。這樣并聯(lián)起來就接近負(fù)載電容了。比如負(fù)載電容15pf的話，兩邊個(gè)接27pf的差不多了。

在許可范圍內(nèi)，Cd,Cg值越低越好。C值偏大雖有利于振蕩器的穩(wěn)定，但將會(huì)增加起振時(shí)間。在低功耗設(shè)計(jì)中晶體的選擇非常重要晶振，尤其帶有睡眠喚醒的系統(tǒng)，往往使用低電壓以求低功耗。由于低供電電壓使提供給晶體的激勵(lì)功率減少，造成晶體起振很慢或根本就不能起振。

對(duì)于電容精度，一般的MCU的晶振負(fù)載電容，5%的精度肯定夠用。

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